373 (16)

- 373

6.2.2.2

Tranzystory połowę ze złączem p-n

Zakres nasycenia

Rozkład równomierny domieszek w kanale

Równania (6.17), (6.18) mają sens tylko w zakresie |C7/,_S| < |t/_Cso!|. W zakresie nasycenia (|t/_DS| > \U_Dsa,\) można przyjąć w pierwszym przybliżeniu, że prąd drenu nie zmienia się i jest równy I_D = I_Dsat dla U_DS = U_DsaI. Po podstawieniu (6.4) do (6.18) otrzymuje się

Z Ti Kat —

u.

	Uos \^1,21
l 3 \	u„ ) J
U GS — 0,	zatem

(6.30)

uc-t

-i-³177⁺²

(W

(6.31)

przy czym I --G ^U>

¹ DSS ~    er_oso-

(6.32)

Rozkład szpilkowy domieszek w kanale

Podobnie jak w poprzednim przypadku przyjmuje się, że prąd drenu w zakresie nasycenia nie zależy od napięcia U_DS i jest równy wartości [I_Dsat dla U_DS = U_Dsat. Po podstawieniu (6.4) do (6.28) otrzymuje się

I Dsat _    _ U GS \

Idss \ V _P !

(6.33)

przy czym I — —G k^p

¹DSS —    DSO n

(6.34)

Rys. 6.16

Charakterystyki przejściowe według (6.31) (krzywa 1) oraz według (6.33) (krzywa 2)