356 (23)

- 356

Tranzystory połowę

Tranzystory połowę (FET )

Ze złączem p-n PN FET

Ze złączem m-s bramką Schottky "ego MESFET

MIS,	MISFET
MOS,	MOSFET

Cienkowarstwowy

TFT

Kanał typu n		Kanał typu P		Z kanałem zainduko-		Z kanałem w bud owa-		Kanał typu n		Kanał typu p
				wanym		nym

Ze zuboża-		Ze wzboga-
nym kana-		co nym
łem		kanałem

Kanał		Kanał
typu n		typu p

Rys. 6.2

Klasyfikacja tranzystorów polowych

—    złączowe (JFET — ang. Juncłion Field-Effect Transistor),

—    z izolowaną bramką (IGFET — ang. Insulated Gate Field-Effect Transistor).

Tranzystory połowę złączowe mogą być ze złączem p-n (PNFET) lub ze złączom metal-

półprzewodnik (MESFET — ang. Metal-Semiconductor FET). Warto zwrócić uwagę, że niektóre z wymienionych nazw' skrótowych na mocy tradycji utrwalił)' się w nieco innym znaczeniu. Pierwszymi dostępnymi na rynku tranzystorami polowymi były tranzystory ze złączem p-n. Z uwagi na brak innych rodzajów tranzystorów polowych nazwa FET oznaczała wówczas to samo co obecnie nazwa PNFET. Wraz z ukazaniem się tranzystorów polowych z izolowaną bramką wynikła konieczność wprowadzenia nazwy JFET oznaczającej tranzystory potowe ze złączem p-n (inne tranzystory złączowe nie były wówczas znane). Alo i ta nazwa okazała się zbyt ogólna, gdy pojawiły się tranzystory ze złączem metal-półprzewodnik. Zrozumiała bezwładność w ewolucji terminologii powoduje, że również obecnie nazwy JFET lub FET są często używane do oznaczania tranzystorów polowych ze złączem p-n, które jednak konsekwentnie będziemy nazywać tranzystorami PNFET. Tranzystory PNFET są wytwarzane prawie wyłącznie z krzemu i mogą mieć kanał typu n lub p.