S1032940

S1032940



ęhppt i tranzystorem potowym NJFET

JpCt złącze bramka-kanal ma polaryzację zaporową, więc - być mo-ij;|) t> ^sowanie układu CO, RG i diody D jcsl zbyteczne. Ale - być może * „lituda drgań przy braku obciążenia stałaby się bardzo duża i roz-' tę możliwość należałoby jednak utrzymać układ CG, RG i diodę D.

do samodzielnej analizy

-jąć, czy nożni jeszcze trochę zmniejszyć współczynnik regeneracji w, tak by zmnicj-*' ^wkraczanie punktu pracy do obszaru triodowego (na pewno można to uczynić powięk-^bżco rezystancję AJ,

/badać pracę generatora bez układu CG, RG, uwzględniając możliwość zredukowania ob-rt**

. ^-orna uwzględnić nicrezystancyjny charakter obciążenia?

Generator Clappa z tranzystorem potowym NJFET

J


347


/


Zaprojektować układ generatora Clappa z tranzystorem polowym NJFET, ipdniający warunki przedstawione w zad. 7.7. Zastosować ten sam typ jamyslora, system zasilania i taką samą cewkę indukcyjną obwodu rczo-unonego.

Indąiarie

l Generator Clappa jest układem szczególnie korzystnym w zakresie bardzo óńjch częstotliwości, gdy wymagane indukcyjności i pojemności zwykłego otrndu rezonansowego stają się bardzo małe, porównywalne z indukcyjno-iamn doprowadzeń i pojemnościami rozproszonymi, co ujemnie wpływa na dobroć obwodu i stałość częstotliwości. W układzie Clappa możliwe jest •dodaniedrgań przy zastosowaniu większych indukcyjności i pojemności.

W porównaniu z układem z zad . 7.7 będzie tu powiększona tylko pojemność okowita obwodu, gdyż ma być wykorzystana ta sama cewka indukcyjna.

II—

■■ t H

/kl (ostat^)

..

.


SĄ?

yGO^r


Hi


U«PP» / umii


i Nil i i »koniiu



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
S1032934 341 ę0lpittsa z tranzystorem potowym NJFET jmuje się układ jak na rys. 7/7.1, z odprowadzan
S1032936 tranzystorem potowym nura 3H3 krotność L, , indutcjjność dławika jest dostatecznie duża i j
S1032946 .^rtfcya z tranzystorem NJFET w konfiguracji WD 337na Jr    wynosi 1,74 • 7,
356 (23) - 356Tranzystory połowę Tranzystory połowę (FET ) Ze złączem p-n PN FET Ze złączem m-s bram
DSC00213 (13) TRANZYSTOR UNIPOLARNY IGFE1 Z izolow.inq bramką (IGFET. Insulated Gale FET) - bramka j
DSCF0790 (2) 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Jeśli złącze bramka-źródło nie jes
4 tvpv tranzystorów potowych - komercyjnie łatwo dostępnych JFETP
W tranzystorach potowych szerokość przewodzącego kanału w półprzewodniku regulowana jest
JFET wspolna bramka 20. Narysuj tranzystor unipolarny JFET w układzie wspólr bramka (0.5 p)
358 (20) - 358 Tranzystory potoweTranzystory połowę ze złączem p-n (PNFET)    6.2 Pod
DSC00070 (34) To tranzystor bipolarny, różniący s.* od zwykłych tym. ze obszar jego bazy może byc&nb
Laboratorium Elektroniki cz I 9 542.2.2. Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie OB Chara

więcej podobnych podstron