S1032936

S1032936



tranzystorem potowym nura

3H3

krotność L,


, indutcjjność dławika jest dostatecznie duża i jej wpływu na warunek Jody (współczynnik n>) można właściwie nie uwzględniać. Indukcyjność pfrt wywiera jednak pewien wpływ na częstotliwość drgań (warunek ^gdyż lekko odstraja obwód. Można uważać, że obecność L„ powoduje, ggponiie pojemność Co2 wydaje się być zmniejszona. Można określić to garnie, przez określenie wypadkowej reaktancji X połączonych równo-^danentów Co2, L„

staje pewien próbką iką należałoby przyjąć lianowicie, zakładając - 27,205 MHz róuji = 35 O. Gdyby chodzi-tę wartość rezystancji Iławikiem. Ale, eonie ywoływać (w zadarcu ijącej składowej stałej


1

I*-

a>oC,2 _


1

®oLp


( <°Scc2ld )


1

<»At



(7-7-2)


hę przyjętej wcześniej wartości k = 5 pojemność Co2 wydaje się być pozor-tancja dławika będzie Kmiiejszao40/. (1 - 1/25) = 0,96. Dlatego w układzie symulującym gene-;nergii związane z as- mórz otwartą pętlą (rys. 7/7.2) dla skompensowania wpływu L„ została elektryczne i straty oa pjjęti pojemność powiększona o 4% (Co2p = CO?? = 54,15 pF).


ano przez zastosoM- J, jy nPaj/ję generatora z rozciętą pętlą (rys. 7/7.2) uwzględniono dławik równoległej, jak ** istorygowaną pojemność obwodu C02P. Układ jest sterowany ze źródła ową (dla małych prądowego o wydajności równej iloczynowi 1 V i transkonduktancji rezystancję to /e=y82mA/V obliczonej wcześniej (w p, 3), zatem napięcie KCO/ xvy-a    W-C562j' M pojemności t'„, *=> COJ liczbowo wyraża również wartość

to" o LD‘ u *f *Wnynnika regeneracji w zależności od częstotliwości. Wykresy tego na-otr^mą)*    I#i kap kąta fazowego są pokazane na rys. 7/7.3, w zakresie częstotliwo*

SSSJSS* ^TmHz. Jak należało oczekiwać, wartość szczytowa napija FO>/

J    *motu do obliczonej wartoió w - 1.69 (kursor na wykresie"skazuje


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
W tranzystorach potowych szerokość przewodzącego kanału w półprzewodniku regulowana jest
S1032934 341 ę0lpittsa z tranzystorem potowym NJFET jmuje się układ jak na rys. 7/7.1, z odprowadzan
S1032940 ęhppt i tranzystorem potowym NJFET JpCt złącze bramka-kanal ma polaryzację zaporową, więc -
4 tvpv tranzystorów potowych - komercyjnie łatwo dostępnych JFETP
S1032938 ,11 Stłumi!symulacyjny układu generatora Colpillu / rył. 7/7.1 pandzie przyjęto dużą rezyst
S1032938 ,11 Stłumi!symulacyjny układu generatora Colpillu / rył. 7/7.1 pandzie przyjęto dużą rezyst
332 (30) Tranzystor bipolarny Pulsacja (Ojj (lub częstotliwość - a>p/2n) jest nazywana pulsacją
Tranzystorowy wzmacniacz napięciowy 1.    Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznan
337 (29) - 337Częstotliwości graniczne tranzystora bipolarnego wzmocnienia mocy, gdyż impedancja wyj

więcej podobnych podstron