9458228623

W tranzystorach potowych szerokość przewodzącego kanału w półprzewodniku regulowana jest polem elektrycznym. Tranzystory FET można zatem traktować jako oporniki sterowane napięciem lub jako źródła prądowe sterowane napięciem. Prąd elektrody sterującej (bramki G) odizolowanej warstwą tlenku lub szerokim (bo zaporowo spolaryzowanym) złączem p-n od reszty tranzystora, jest znikomy. Potrzebne jest tylko ulokowanie niewielkiego ładunku aby uzyskać na bramce pożądany potencjał. Kanał przewodzący w tranzystorze potowym może być dwojakiego rodzaju: typ n (przewodnictwo elektronowe) albo typ p (przewodnictwo dziurawe).

(Kanał w postaci prawie dwuwymiarowej warstwy mobilnych nośników ładunku wykazuje interesujące własności kwantowe, szczególnie widoczne w niskich temperaturach i silnych polach magnetycznych).