S1032946

.^rtfcya z tranzystorem NJFET w konfiguracji WD

337

na

Jr    wynosi 1,74 • 7,5 - 13, zatem współczynnik, regeneracji wg

6.272 • 10'*.    ^ lffi.5.6) wyraża się zależnością

-0,82 V

n - 1

■ 3,17 mA/V

mA/V

jotrzebne wielkość;

%

j_cj_C!i podzielićindukcyjnoić L, = 6,2 pH na Ł_łt *= 1 pH, L,₂ = 5,2 pH, ii przyjąć współczynnik n = 6,2, to zapewnia się współczynnik regeneracji fLtkae pracy Q równy w = 1,76. Ta wartość, stosunkowo mała, dla tego typu jest zupełnie zadowalająca. Dlatego, że w punkcie Q, jąfcta od zerowej polaryzacji bramki, obwód rezonansowy praktycznie itjest obciążony żadną rezystancją (poza rezystancją obciążenia) i drgania (tskieb układach wzbudzają się łatwo. Przy wyborze punktu Q w pobliżu gpwej polaryzacji obwód mógłby być obciążony nieliniową rezystancją ^wodzącego złącza bramka-kanał.

.    ^Korzystając ze wzorów używanych uprzednio, oblicza się szeregowe rczys-

' uo^c strat cewek R_UI — 0,2 Cl, R^ = 1,02 Cl oraz rezystancję równoległą

PiJcĄ

konania obliczeń pn.

ikcyjność L,(K*m

< 6,2 • 10*

163,4 pF

|0>-30k0

on kondensatora R_e = 779 kft.

•.Wybiera się rezystancję R_t = 1 MD, tak dużą (lub nawet większą) dlatego, tyjg równoważnik na zaciskach głównych obwodu (wartość przetransfor-sewana w stosunku n² = 38,4, równa 38,4 MCI) nie stanowił istotnego ob-aiienia w stosunku do rezystancji R_ab =10 kCl.

Jeżeli wychodzi się z uprzednio ustalonego warunku (dla innych ihdów), by stała czasowa rozładowania t₂ = R,C_t była kilkadziesiąt nzy większa od okresu drgań T₀, to dochodzi się do określenia pojemna C, bardzo małych. Na przykład, jeżeli przyjąć - orientacyjnie -tj = 50 ■ r₀= 10 ps, to w celu zapewnienia stałej czasowej tej wartości iptanzy pojemność 10 pF. Jednak przy takiej wartości C_t, jak wykazują symulacje komputerowe, drgania nie wzbudzają się. Dla układów z tran-lysiorami unipolarnymi, o dużej rezystancji wejściowej (w zakresie małych częstotliwości), należy przy wyborze pojemności sprzęgającej kierować się U wartością rezystancji wejściowej, lecz wartością pojemności wejściowej tranzystora, która z pojemnością C_t tworzy dzielnik napięcia. Aby mc ustępowa! znaczny podział napięcia sterującego, należy wybierać C, mącznic większą od pojemności wejściowej, np. o 2 rzędy Wprawd.-.e dokładna wartość pojemności wejściowej nie jest znana (jest armatą zalcz-li od punktu pracy tranzystora), ale dokładność obhc. cn jest ibęlii można wybierać C. na podstawia sumy pojemności C« • C* • 4,1 pili' iiHnrf/ir symulowanym P«y użyciu programu NAP prayyęto C.-0G-300 pF