375 (19)

- 375

Tranzystory połowę ze złączeni p-n

przy czym

Oprócz tych dwóch parametrów w katalogach zwykle podaje się jeszcze następujące parametry statyczne:

— ^rDS(.os)—rezystancja dren-źródlo przy U_GS = 0, U_DSxO, jest to inaczej

1 l@DS0 >

(U ds — 0);

•— I_GSS — prąd bramki przy dużym napięciu U_GS i zwarciu drenu ze źródłem

— BU_gss — napięcie przebicia bramka-źródło przy U_DS = 0; przebicie określa się jako taki stan, w którym prąd bramki osiąga pewną dość dużą wartość (np. Ig = 1 |zA).

6.2.2.4

Model statyczny tranzystora PNFET

Najprostszy model statyczny tranzystora PNFET przedstawiono na rys. 6.17a, na którym R_we jest rezystancją złącza bramka-kanał spolaryzowanego w kierunku zaporowym (kilka megaomów do kilku gigaoinów), a zależne źródło prądowe

Rys. 6.17

Dwa modele statyczne tranzystora PNFET

1 — symbol sterowanego źródła prądowego opisanego równaniami charakterystyk tranzystora PNFET

ma postać odpowiedniego równania charakterystyki prądowo-napięciowej (równania (6.18) lub (6.28) dla zakresu nienasycenia oraz (6.31) lub (6.33) dla zakresu nasycenia).

W dokładniejszym modelu należy uwzględnić rezystancje szeregowe źródła i drenu (rys. 6.17b), których wartości są zwykle mniejsze niż kilkadziesiąt omów.

Praca dynamiczna nieliniowa    6.2.3

Reakcja tranzystora PNFET na szybką zmianę warunków polaryzacji nie jest natychmiastowa w-skutek dwu zjawisk:

—    ładowanie warstwy zaporowej złącza bramka-kanał,

—    skończony czas przelotu nośników przez kanał.

zważania przeprowadzimy dwustopniowo. Najpierw rozpatrzymy część -wewnętrzną tranzystora (tzw. tranzystor idealny), zgodnie z podziałem struktury tranzystora, przedstawionym na rys. 6.18. Następnie uwzględnimy elementy reprezentujące