369 (16)

- 369

Tranzystory połowę ze złączem p-n

przy czym:

(*DS ~ °C

x_cz

L

konduktancja kanału

(6.7)

a_c = qy.„n„    —kondukty wność półprzewodnika w obszarze kanału

(przyjmuje się dalej n„ k N_d)    (6.8)

X_c = 2 (a-d)    (6.9)

Można zapisać następujące zależności znane z teorii skokowego złącza p-n:

d = x(<p_B-U_GS)¹¹²    (6-10)

d = a dla U_GS = U_p, zatem

a = %(<p_B-U_pyi²    (6.11) przy czym

x

2a, I¹'² qx_D i

Na podstawie zależności (6.6) do (6.11) otrzymuje się

^1D - °^C~L	2x[(<pB-upy'^2-(pB-uGsy!^2]uDs		(6.12)
lub inaczej
Id — (’ dso j	[*-'		(6.12a)
przy czym
Hnso — °c	2 aZ L	(konduktancja kanału o grubości metalurgicznej równej 2a)	(6.13)

Ponieważ napięcie odcięcia U_p przyjmuje wartości od kilku do kilkudziesięciu woltów, a (p_B 0,7 V (dla tranzystorów krzemowych), najczęściej można przyjąć, że:

<Pb < \U_P\

Pb < l^csl

Stąd wyrażenie (6.12a) można uprościć do postaci znanej już z p. 6.2.1

I_D = 0_D

(6.14)

Teraz wyprowadzimy rówmanie charakterystjdń prądowo-napięciowej w' całym zakresie nienasycenia.

Cały zakres nienasycenia (0 < U_DS ^ U_Dsal). Charakterystykę I_D(U_DS, Ugs) wyznaczymy całkując wzdłuż kanału spadki napięć na elementarnych wycinkach kanału (rys. 6.14). Czyni się przy tym dwa założenia:

24 Przyrządy półprzewodnikowe...