377 (20)

- 377

Tranzystory połowę ze złączem p-n

sterowanie ze źródła o skończonej rezystancji wewnętrznej i ponadto uwzględnimy wpływ zjawisk inercyjnych, wnoszonych przez część zewnętrzną tranzystora, to czasu przelotu można nie uwzględniać jako znacznie krótszego niż stała czasowa procesu przeładowywania warstwy zaporowej. Takie jest uzasadnienie założenia o quasi-rówmowagowych zmianach ładunku w kanale. Przyjmuje się więc, że Q_c zmienia się w funkcji czasu wskutek zależności pośredniej, tj. Q_c jest funkcją napięcia, a napięcie jest funkcją czasu

Qc — f(^ucs> ^ugs~^uds)    (6.43)

Xależy zauważyć, że jako drugą zmienną niezależną wybrano nie u_DS, lecz u_cs — u_DS = = u_aD. Takie podejście umożliwia uzyskanie bezpośredniej reprezentacji modelowej tak ważnego zjawiska, jakim jest sprzężenie bramka-dren. Na podstawie (6.43), (6.42), (6.41)

(6.44)

^ _ 8Qc dw_cs    SQc du_GD

d£    du_GD dt

Przyrosty ładunku kanału są wywołane odpowiednimi przyrostami ładunku warstwy zaporowej

AQc ^{= —} A Qb

Zdefiniujmy pojemności różniczkowe:

	SQb
('gst — —	duGs	^uo
	8Q„
^gdi — “	duGD	^uos
Stąd
^G — ^gsi	&Uqs d t	+ Cgdi

dw_GJ

di

— pojemność bramka-źródło dla tranzystora idealnego •pojemność bramka-dren dla tranzystora idealnego

(6.45)

Pierw-sza składowa prądu bramki płynie w obwodzie bramka-źródło, druga składowa — w obwodzie bramka-dren. Jeżeli uwzględnimy, że przez zaciski źródła i drenu płynie ponadto prąd przewodzenia J_D, to można skonstruować schemat zastępczy, przedstawiony na rys. 6.19a. W części zewnętrznej tranzystora (rys. 6.18) są pojemności warstwy zaporowej C_gse, C_gde oraz rezystancje szere-

Rys. 6.19

Dwa modele dynamiczne nieliniow'6 tranzystora PNFET