362 (21)

- 362

Tranzystory połowę

wartość porównywalna z rezystancją złącza p-n spolaryzowanego zaporowo). Dotychczas rozpatrywaliśmy tylko polaryzację zaporową złącza bramka-kanał. Teoretycznie tranzystor może pracować również przy polaryzacji w kierunku przewodzonia, jeżeli napięcie U_GS nie jest większe niż napięcie dyfuzyjne. Jednak takie warunki polaryzacji nie mają sensu praktycznego”, gdyż efekt modulacji przekroju kanału jest bardzo słaby (zwężenie warstwy zaporowej znacznie cieńszej od kanału), a przy tym w obwodzie bramka-źródło płynie duży prąd przewodzenia, czyli tranzystor traci swą największą zaletę — dużą rezystancję wejściową (rezystancja wejściowa przy polaryzacji zaporowej złącza bramka--kanał jest rzędu gigaomów w tranzystorach małej mocy). Chociaż rozważania te mają charakter tylko jakościowy, to jednak bez trudu można zaproponowali prosty zapis analityczny charakterystyki przejściowej dla małych wartości napięcia U_DS. Przy U_DS = const prąd drenu jest odwrotnie proporcjonalny do rezystancji kanału

Korzystając z oznaczeń wprowadzonych na rys. 6.6:

X_c = 2 (a-d)

Zatem

/jj ^ 2 (a — d)

Jeżeli przyjmiemy model złącza skokowego (przy założeniach upraszczających: d =(I dla U_GS — 0 oraz napięcie dyfuzyjne złącza bramka-kanał <p_B = 0), to:

d ~ (u_GSyi²

d = a dla U_GS = U _p

Rys. (i.9

Charakterystyki przejściowo Id {U os) '■ a) przy U _Ds X 0; b) przy U os # 0

o Taki sposób polaryzacji jest stosowany w tranzystorach jednozlączowych (rozdz. 11), które mają budowę podobną do tranzystorów PNEET, lecz działają, na zupełnie innej zasadzie.