366 367 (4)

od jedności, wzory (7.62) i (7.65) służące do obliczania wzmocnienia względnego oraz pojemności kondensatora obwodu stabilizacji emiterowej Ce w stopniu tranzystorowym przyjmują postać:

Ce

IojCe (R.cja + Rj — aR_i)]^f — 1

0,159

(7.89)

Za pomocą takiej metody możemy obliczyć zniekształcenia częstotliwościowe, fazowe i przejściowe charakterystyki skrośnej stopnia tranzystorowego, określonej stosunkiem napięcia na wyjściu stopnia do sem. źródła sygnału na jego wejściu, do obliczeń zwykłych charakterystyk częstotliwościowych, fazowych i przejściowych, określanych stosunkiem napięcia wyjściowego do wejściowego. W podanych wzorach przyjmuje się R_t = 0, tzn, Sdk lub Sk przyjmuje się równym l/Rtręjn.

Z zależności (7.89) wynika, że jeżeli H_łćąiy do nieskończoności, to wymagana pojemność kondensatora Ce dąży do zera. Tłumaczy się to tym, że Re nie wpływa na współczynnik wzmocnienia prądowego stopnia, lecz tylko obniża jego współczynnik wzmocnienia napięcia pod wpływem wzrostu oporności wejściowej, co przy bardzo dużej wartości R_t nie zmienia wartości prądu wejściowego.

układów polaryzacji katodowej i stabilizacji emiterowej

7.4.2. Korekcja na wielkiej częstotliwości za pomocę

Jeżeli w doprowadzenie katody lampy włączymy oporność Rk i zablokujemy ją kondensatorem C* małej pojemności, to na dolnych i średnich częstotliwościach pojawi się w stopniu ujemne sprzężenie zwrotne, zmniejszające wzmocnienie 1 + Rt,S_k razy. Na górnych częstotliwościach, na skutek zmniejszenia oporności Ck sprzężenie zwrotne będzie malało, co zwiększy wzmocnienie stopnia tam, gdzie ono maleje pod wpływem C₀. Zmieniając wartość Ck można zmieniać kształt charakterystyki częstotliwościowej na górnych częstotliwościach. Charakterystyka ta może mieć wzniesienie o określonej wartości lub też być bez niego. Charakterystyka przejściowa może być przy tym w zakresie małych czasów bez wyskoków lub z wyskokami o dowolnej wartości.

Do korekcji tego typu na wielkiej częstotliwości można wykorzystać oporność polaryzacji katodowej, blokując ją małą pojemnością o takiej wartości, aby otrzymać wymagany kształt charakterystyki.

Jeżeli oznaczymy przez

C.R,

\o równanie charakterystyki częstotliwościowej na górnych częstotliwościach oraz charakterystyki przejściowej w zakresie krótkich czasów, lam-poyego stopnia oporowego z korekcją na wielkiej częstotliwość: za pomocą układu CiR*, przyjmują postać wzorów (5.178) i (5.181), a dla obliczani^ charakterystyk stopnia na górnych częstotliwościach przydadzą się wykresy na str. 556... 565.

Jednakże stopień lampowy z taką korekcją ma mniejszą płaszczyzną wzmocnienia, niż stopień z korekcją indukcyjną i dlatego nie znajduje zastosowania w szerokopasmowych lampowych stopniach wzmocnienia wstąpnego. W szerokopasmowych lampowych stopniach wyjściowych o dużej amplitudzie sygnału taka korekcja (stosowana niekiedy łącznie z indukcyjną) umożliwia znaczne zwiększenie R, i przy założonej amplitudzie sygnału wyjściowego zmniejszenie prądu anodowego lampy oraz mocy zasilania i dlatego niekiedy jest stosowana.

W szerokopasmowych tranzystorowych stopniach wzmocnienia wstąpnego mających dowolny rodzaj korekcji wielkiej częstotliwości za pomocą indukcyjności, w celu otrzymania wymaganego pasma przyjmuje się małą wartość R*. co dzięki wpływowi r_B zmniejsza płaszczyznę wzmocnienia stopnia. Przy r_B równym R* stopnia poprzedzającego, powierzchnia wzmocnienia maleje dwukrotnie, co wynika z zależności na Ry_B i k_um podanych na str. 209. W wyniku powyższego stopień tranzystorowy z korekcją indukcyjną ma powierzchnię wzmocnienia prawie taką samą, jak stopień bez korekcji z dużym Ru lub nieco większą.

Przy korekcji na wielkiej częstotliwości za pomocą układu CeRe układ ten włącza się w obwód emitera tranzystora, a R_c

Rys. 7-19. Charakterystyki częstotliwościowe oporowego stopnia tranzystorowego: bez korekcji przy dużych wartościach Rk (t); przy dużej wai-tości Rk. korekcji wielkiej częstotliwości za pomocą układu CeRe oraz krytycznej wartości Ce (2): to samo przy wartości Cf większej niż wartość

krytyczna (3,4)

367