370 371 (4)

W obliczanym wzmacniaczu wzmocnienie względne na górnej częstotliwości roboczej    /.

V=^y*.^yg.^y*«l

gdzie Yg., Y_g, i Y_<u,y — odpowiednio względne wzmocnienie obwodu kolektora drugiego stopnia (obwodu obciążenia), obwodu kolektora pierwszego stopnia i obwodu wejściowego. Przy C₀ równym 6 pF z uwzględnieniem pojemności montażowej i Re., = 361

Ygt ™    -    ¹    ~-0,995

+(6,28 • 7 • 10* • 6 • NT” • 361)*

zakładając Yg, = 0,7 otrzymamy, że przy Y₆w = 1,26 wartość Y_gu,,/ = 1,81.

Prąd kolektora pierwszego tranzystora przyjmiemy 3 mA. Zapewni to dla P416a płaszczyznę wzmocnienia zbliżoną do maksymalnej. Oporność w obwodzie jego kolektora Rei można przyjąć 2 kfi. Spadek napięcia na Rci oraz na oporności filtru Rf, (jeżeli jest on konieczny) wynosi około 7 V. Na wyjściowe elektrody tranzystora 1 Rei pozostanie więc 5 V, co jest wystarczające.

Oporność emitera drugiego tranzystora r_Fa przy prądzie emitera /£».= => /_Co, = 5 mA, obliczone na podstawie jego charakterystyki wejściowej

30

dla układu OB lub z przybliżonego wzoru R« w-wyniesie 6 fi, skąd

jego oporność wejściowa w układzie OE wyniesie

= 50+(l + 80)6 «=■ 536 Q

W podobny sposób obliczymy dla pierwszego tranzystora r_f:, =10 Q i Ru-c/i = 860 fi. Przyjmując dolne oporności dzielników polaryzacji Rj, i R_n po 3 kfi oraz pomijając bocznikujące działanie górnych oporności ze względu na ich duże wartości, obliczymy równoważne oporności źródeł sygnału dla obu tranzystorów na podstawie wzorów

«i£.~

^Ri£l~

^Ri^R!l

H*+

^RC ■ ^R;i

Kęi+Kn

skąd otrzymamy R_łFl =187 fi ⁵ RiEs = 12C0 fi. Dynamiczną pojemność wejściową pierwszego tranzystora CEdi oraz jego częstotliwość granjczną dla układu OE w warunkach roboczych fp, obliczymy z zależności

0,16

K.^rE,

^cEd,~

0,16 [r_£, (1 + fl_n)+r_fll + R_ifl] ^//tr,= r_eia-fi_nHr_B,+^RiEl)C_m

370

przyjmując R_c_, - R^, - 1200 ii ze wzglądu na dużą wejściową opor* ńość drugiego tranzystora mającego układ Ce,Re, w obwodzie emitera otrzymamy:    4

C_EJ, = 805 • 10-'^: F; }_)n = 1,08 • 10* Hz

Dla drugiego tranzystora, podstawiając do tego wzoru jego parametry otrzymamy:

C_EM = 638 • lO^-1* F i f_gn = 0,715 • 10* Hz

Z rys. 7-20a znajdziemy, że dla obwodu wejściowego drugiego stopnia (obwód kolektorowy stopnia pierwszego) mającego V_gl = 0.7 przy

U ^7,1°'

1_fn ~ 0.715-10‘ ⁼ ’

współczynnik 4,, równy zmniejszeniu wzmocnienia pod wpływem Rf, wyniesie 6,8; stąd oporność w emiterze drugiego stopnia

W/E,+'B.+0+/W^rft

^%,=    l+fn

co da nam Re, = 124 Q. a po zaokrągleniu znormalizowane — 120 Q.

W celu otrzymania bardziej równomiernej charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza przyjmiemy częstotliwość maksymalnego wzniesienia w obwodzie wejściowym nieco większą niż najwyższą częstotliwość roboczą wynoszącą 7 MHz. Do zapewnienia tego wystarczy przyjąć za f_s obwodu wejściowego jej częstotliwość graniczną, na której Y_twti ~ °.⁷⁰⁷ oraz wziąć tę częstotliwość trzykrotnie większą niż najwyższa robocza częstotliwość wzmacniacza Stąd dla obwodu wejściowego f_t - 7 • 3 = 21 MHz, a na podstawie rys. 7-20a dla

21

1,08

19,5

1 V₍ = o,707 otrzymamy 4, = 13,8. Po obliczeniu Re, na podstawie wzorów analogicznych do wzoru R£,, otrzymamy R_El = 114 Q, co zaokrąglimy do wartości znormalizowanej 110 O.

Krytyczną wartość pojemności Ce, przy której na charakterystyce częstotliwościowej stopnia lub obwodu znika wzniesienie, można dla pierwszego tranzystora obliczyć na podstawie wzoru przybliżonego

0,16

skąd otrzymamy CEikr = 97.5 • 10”¹¹ F. Dla drugiego tranzystora w analogiczny sposób otrzymamy Ce,*r ⁼ 274 • 10~'» F. Ponieważ charakterystyka częstotliwościowa obwodu wejściowego drugiego tranzystora nie może mieć wzniesień, Ce, przyjmujemy równe otrzymanej Ce,Ir. Wartość Ce, określimy na podstawie rys. 7-20b, skąd ctrzymamy, te dla maksymal-

M*

371