401 (12)

Tranzystor MIS

- 401

Zakres nienasycenia \Ucs\ > )C/rI

W_os\ < \U_Dsat\

Zakres nasycenia

IPcsl > l^rl l^nsl > W_Dsat\

(6.90)

(6.91)

Aby otrzymać schemat zastępczy tranzystora rzeczywistego (rys. 6.34) należy uzupełnić dotychczas rozpatrywany schemat elementami zewnętrznymi, pokazanymi na rys. 6.31. Są to następujące elementy:

G

•D

Rys. 6.34

Model dynamiczny nieliniowy rzeczywistego tranzystora MIS (pominięto elementy C_ębl,

@bsl* @bdt» natomiast Og_S — Ogst -\-Ogse» Ogd = C/gdl + ćgde)

B

—    pojemności C_gse, c_git, wynikające z częśoiowego pokrywania obszarów' p⁺ źródła i drenu przez metalizację bramki;

—    pojemności złączy p-n źródła i drenu G_js, G_jd;

—    rezystancje rozproszone podłoża, tj. rezystancja podłoże-źródło r_SB oraz po-dłoże-dren r_DB;

—    rezystancje szeregowe źródła i drenu r_s, r_D.

Pojemności C_g,_e, G_gde można łatwo obliczyć, jeśli są znane odpowiednie wymiary geometryczne. Wartości tych pojemności są wyznaczone przez grubość dielektryka, jego przenikalnośó elektryczną i powierzchnie przekrycia bramki z obszarami p⁺ źródła i drenu. Dla typowej grubości warstwy Si0₂, wynoszącej 120 nm jej pojemność na jednostkę powierzchni -wynosi 350 frF/m². Zwykle pojemności Ggse. G_gde mają wartości mniejsze niż 3 pF. Pojemności złączy G_js, C_jd są zależne od napięcia według wzoru znanego z teorii złącza p-n

26 Przyrządy półprzewodnikowe...