41 (303)

Krzem w procesie utleniania jest zużywany do tworzenia SiO_z

-    powstający tlenek rozszerza się w procesie utleniania

-    warstwa jest silnie naprężona (naprężenia ściskające)

-W-

Original Si

—siPr-

Oxidizcd Si

Skalowanie grubości tlenku bramki

' 46%

Zależność grubości Si0₂ od czasu utleniania

Porównanie właściwości Si0₂ i innych dielektryków o dużej stałej dielektrycznej (ang. high k-dielectrić)

Materiał	Dielectric constant (k)	Band gap Eg (eV)	AEC (eV) to Si	Crystal structure(s)
SiOj	3.9	8.9	3.2	Amorphous
SijN4	7	5.1	2	Amorphous
A1202	9	8.7	2.8*	Amorphous
y2o3	15	5.6	2.3*	Cubic
	30	4.3	2.3*	Hexagonal, cubic
	26	4.5	1-1.5	Orthorhombic
TiÓ2	80	3.5	1.2	Tetrag.^c (rutile, anatase)
Hf02	25	5.7	1.5“	Mono.^b, tetrag.®, cubic
ZiOj	25	7.8	1.4*	Mono.^b, tetrag.^c, cubic