78 Mirosława Bertrandt, Eugeniusz Chimczak, Tomasz Berus
grubością wzdłuż kierunku pola magnetycznego. Po podstawieniu ostatnich zależności do wzoru (11.4) otrzymujemy:
Uh IhB a abne |
(11-7) | |
a stąd |
bne |
(11.8) |
albo |
(11.9) | |
gdzie |
ne |
(11.10) |
Wielkość Rh nazywa się stałą Halla, a jej znak zależy od znaku nośników ładunku.
Tabela 11.1. Stała Halla, ruchliwość i koncentracja nośników wybranych materiałów
Materiał |
Rh [m3/C] |
M [m2/(V-s)] |
N [m~3] |
Cu Zn Ge Monokryształ InAs Cienka warstwa InAs |
-6,09-10'11 10,4-10"11 7,1-10"2 7,0-10-3 9,3-10"5 |
0,0039 -0,0018 0,38 3,0 1,3 |
10,3-1028 6,0-1028 1020 1021 7-1022 |
W metalach wartości stałej Halla są bardzo małe, rzędu 10~nm3/C, ze względu na znaczną koncentrację nośników. W półprzewodnikach stała Halla ma wartości kilka rzędów wielkości większe i stąd pomiar koncentracji nośników prądu odgrywa ważną rolę.
Niektóre metale, jak np. cynk, kadm, beryl, mają dodatni znak stałej Halla - tak zwany anomalne zjawisko Halla. Metale te wykazują przewodnictwo dodatnie, bo pasmo przewodnictwa jest prawie całkowicie zapełnione i dziury związane z pozostałymi niezapełnionymi poziomami zachowują się jak cząstki mające dodatnią masę efektywną i dodatni ładunek.
Płytka z przewodnika lub półprzewodnika wraz z przewodami nazywa się hal-lotronem i używana jest w wielu przyrządach przeznaczonych do pomiaru pól magnetycznych i prądów wysokiej częstotliwości. Zgodnie ze wzorem (11.9), napięcie Halla jest odwrotnie proporcjonalne do grubości b płytki przewodzącej prąd (rys. 1 l.lc). Dlatego stosuje się płytki bardzo cienkie, często naparowane, w celu uzyskania wyższego napięcia Halla w danym materiale.