CIMG5123

nJUWAWl MIKKUtUMRUMM

O Wprowadzamy następny pomiar: Nc4x0.2 mes w celu doboru parametrów modelu tranzystora z krótkim kanałem. Klikamy na opcji wyboru charakterystyk Id vs. Vg. Zwiększamy LD do -0.10 aby ustawić nachylenie charakterystyki Id/Vg. (Rys, 31). Zauważmy, że wartości parametrów nie muszą mieć sensu fizycznego, są traktowane jako parametry dopasowujące, np. ujemna wartość LD nie ma sensu fizycznego, ale odzwierciedla zwiększoną rezystancję słabo domieszkowanych obszarów drenu i źródła.

Rys 31. Ekstrakcja parametrów modelu aa podstawie punktów pomiarowych (Nc4xÓ.2.mes).

O Klikamy na opcji wyboru charakterystyk Id vt Vg. Dobieramy KAPPA tak, aby otrzymać dodatnie nachylenie w obszarze nasycenia. Następnie dobieramy VMAX aby ustalić punkt przejścia z zakresu liniowego do nasycenia. (Rys. 32).

Rys. 32. Ekstrakcja parametrów modelu na podstawie punktów pomiarowych (plik Sc4x0.2.mcs).

0 Klikamy na opcji wyboru charakterystyk log(ld) vs. Vg. Sprawdzamy czy w zakresie podprogowym nachylenie jest poprawne. Jeśli nie to możemy je skorygować za pomocą parametru NSS. Pizy wykonywaniu pomiarów minimalna mierzalna wartość prądu jest rzędu nanoamperów. Z tego względu dla wartości poniżej 10~⁹ a pomiar trudno odróżnić od szumu (Rys. 33).

Rys. 33 Ekstrakcjo parametrów modelu na podstaMHe punktówpomiarowych tpiik eś3$fuO&m0u$&