DSC00961 (6)
Tabela 3.1. Zależność liczby przejść elektronów od szerokości pasma zabronionego i temperatury
|
H'fiłeV |
100K |
300K |
500 lv |
1000K |
|
6 |
10‘JUU |
10-su |
IG'11' |
10’8 |
|
3 |
10*uo |
10-ju |
10* |
10° |
|
1 |
10'JU |
105 |
W~ |
1017 |
|
0.5 |
10“ |
10u |
1017 |
To13 |
|
0.25 |
10y |
1017 |
El |
1021 |
Dla porównania rzędów ilość atomów w I kuli ziemskiej jest na poziomie 10so.
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
DSC00961 Flat Tabela 3.1. Zależność liczby przejść elektronów od szerokości pasma zabronionego i tem
DSC00961 Flat Tabela 3.1. Zależność liczby przejść elektronów od szerokości pasma zabronionego i tem
Img00247 251 Rys. 4.85-1. Zależność własności porcelany elektrotechnicznej od zawartości składników
slajd10 Zależność liczby poziomów kwantowania od liczbyKażdy kolejny bit sygnału cyfrowego powoduje
IMG59 (3) Rys Zależność liczby poziomów kwantowania od liczby bitów przetwornika w—1- Kod binarny n
IMAG0156 Widma fotoelektronów OWykres zależności natężenia strumienia elektronów od ich Ekjn (EB) —
BIOFIZ16 2 6. Wyniki pomiarów zależności liczby zliczanych impulsów od grubości warstwy absorbującej
6.1. UKŁADY PODSTAWOWE. WŁAŚCIWOŚCI I WIELKOŚCI ZALEŻNE 285 tranzystorowego zależy od szerokości
rys2 5 NIE) Rys. 2.5. Zależność rozkładu stanów elektronowych od energii. Linią przerywaną zaznaczon
zad1 (4) Zbieżność algorytmu Levinsona w zależności od szerokości pasma parametryzowanego sygnału
P1120604 [1024x768] 151 Rys 2. Zależność przewodnictwa równoważnikowego elektrolitów od ich stężenia
Slajd37 Zależność gęstości prądu elektrycznego od natężenia pola elektrycznego eE m ez ^ v, = z
Slajd38 Zależność gęstości prądu elektrycznego od natężenia pola elektrycznego J =ne2z ^
więcej podobnych podstron