3582284146

^■■cec    .Kvkx>stopnio\\ego wzmacniacza OE:

^A jest daou    C_w* - Q*_e + Q*_c( 1 + |K_m|)

B aakan £kwv»»c od (j,y gd> wzmocnienie napięciowe stopma jest haidao małe C    jest <fau w jorem C_M = Q'_c ⁺ Q>'eO ⁺ ZmKłbc)

D sa ezs <fc*vvnc od Cf>'_c gdy wzmocnienie napięciowe stopna jest bardzo duże <C*v»Q> ,    %> parametry modelu hybryd n tranzystora, zaś R,^ jest rczyssancją oboąza^at zso<

w onddu

Punkt pracy I ^ > = t»Y. ('BEO ~ 0,65V, lęQ ~ ImA ma: A    rru\osivV pracujący w obszarze nasycenia

B    traw stor pracujący w obszarze aktywnym

C    tranzystor pracujący w obszarze odcięcia

D    tranzystor n-fwt pracujący w obszarze aktywnym

Parametry urnowego modelu tranzystora bipolarnego są powiązane z jego punktem pracy tai pomccą

*BQ	„^lBO	^1BO	B	ico
	-P > S22-			§11 =—— . £>i ^:P-*^a
+7	9T	m		9T 9r
*CQ	P@i	^lCQ	D	łoo
[I- ' 1	-P	> g22 ~ njr		211
	9 T	Ha		P9t 9r

|rag = — i    I*ą to napięcie Earle'go)

I

Do której i poniższych macierzy admitancyjnych konduktancja G3. połączona w sposob pokarany została prawidłowo wpisana:

/'777' ////// /

oal
i
i —		L&
i G3	-G3
-G3	G3

1