3582318389

BI. Napisać równania macierzowe dla prądów mało sygnałowych w zakresie w. cz. dla JFET-a.

Powszechnie przyjmuje się, że podstawową konfiguracją jest układ wspólnego źródła WS, który można opisać równaniami:

^lG " W*GS * JW^IB b^z his^UGS *

U_Siu.

W praktyce częściej zamiast parametrów admitancyjnych stosuje się parametry uniwersalne:

^L'^{2 U}°⁵    1 L . dL .

dir

u_DS ^CT=0 da ^lu-’^=caDS,•

‘OS

yn_s=—^: r

= 0

^luw=° Jt., l«_ro=consf. ^UUGS

= o

y₂i*

y 22s

- transkonduktancja dynamiczna

GS

dynamiczna konduktancja wyjściowa.

os

’pm	y i^s ~	^UGS		^lG
y2 b	y22s.	_^UDS_		Jo.

B2. Narysować małosy gnało wy schemat zastępczy dla JFET-a dla w. cz.

C_gb - pojemność bramka -podłoże,

C_gs - pojemność bramka -źródło,

-    pojemność bramka -

dren,

r_M, -rezystancje

szeregowe elektrod drenu i źródła,

-    konduktancja kanału, g_m - transkonduktancja.

83. Określić małosygnałowe wzmocnienie napięciowe dla małych częstotliwości JFET-a w konfiguracji WS.

9nJ-^GS

_TI ¹ _ _rr 1

9_a

9₀

_{rT rr}    9 m ' U GS ■

U wy    g_D

9 m

WE    ^ GS

u.

9 o

Rys. Schemat zastępczy tranzystora unipolarnego w układzie WS.

84. Narysować rozkład napięcia bramkowego i ładunków w strukturze pojemnościowej MOS(p).