3582328168

3582328168



1. Wyjaśnij korzystając z modelu pasmowego materiału półprzewodnikowego proces rekombinacji promienistej prowadzący do spontanicznej emisji światła.

Generacja światła jest skutkiem rekombinacji promienistej nadmiarowych par elektron - dziura, wprowadzonych do półprzewodnika w wyniku zewnętrznego pobudzenia. Najczęściej pobudzenie to jest spowodowane wstrzykiwaniem nośników ładunku w wyniku przepływu prądu elektrycznego przez złącze p -n lub heterozlącze p-n. Proces rekombinacji promienistej jest przejściem elektronu z pasma przewodnictwa (We) do pasma walencyjnego (Wv) a energia tracona w tym procesie przez elektron jest emitowana w postaci fotonu o energii hv ~ W,,. W wyniku obserwuje się zjawisko spontanicznej emisji światła na zewnątrz półprzewodnika noszące nazwę ELEKlROLUMINESCENC.il (elektron -s świecenie).

-Rekombinacja promienista zachodzi przede wszystk


m w półprzewodnikach o prostej przerwie energetycznej

po procesie


przed procesem


hv


1 24

Mpm] = ^r[eV]


emisja spontaniczna

2.    Korzystając z modelu pasmowego złącza p-n przedstaw mechanizm spontanicznej emisji światła. Jak należy spolaryzować złącze p-n by była ona możliwa? Przy jakich wartościach napięć zasilających zachodzi to

zjawisko?

Emisja spontaniczna występuje przy niskich wartościach napięcia U(V.,) polaryzującego złącze. Dochodzi wówczas wewnątrz struktury złącza do wewnętrzny cli odbić emitowanego promieniowania. Emisja spontaniczna jest procesem losowymi i jest podstawowym procesem występującym w diodach elektroluminescencyjnych. Dioda LED wymaga polaryzacji złącza p-n w kierunku przewodzenia.

+ rys z wyżej !!!!!!!

3. Przedstaw korzystając z modelu pasmowego materiału półprzewodnikowego proces rekombinacji promienistej prowadzący do emisji stymulowanej. Czym charakteryzuje się tego rodzaju emisja? W jakim przyrządzie półprzewodnikowym efekt ten wykorzystuje się?

Gdy napięcie polaiyzujące złącze rośnie, emisja staje się tzw. emisją stymulowaną (zwaną też wymuszoną). Emisja stymulow ana jest wynikiem rekombinacji wymuszonej przez fotony.

po procesie


przed procesem


hvCv

hvcv

O


Wv


(w fazie)


emisja stymulowana

Cechą cliarakt ety styczną emisji stymulowanej jest to. że wyemitowany foton ma fazę drgań oraz kierunek rozchodzenia się zgodny z fotonem wywołującymi przejście wymuszone - promieniowanie spójne.

4. Przedstaw jak rodzaj występującej emisji i charakter charakterystyki widmowej zależy od wartości napięcia zasilania złącza p-n.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
w7 orównanie energetycznego modelu pasmowego dla: metalu (a), półprzewodnika (b), izolator
2012 11 26 24 06 A 1.    Jaki jest cci stosowania procesu topnienia materiałów półpr
2012 11 26 24 06 A 1.    Jaki jest cci stosowania procesu topnienia materiałów półpr
2012 11 26 24 06 A 1.    Jaki jest cci stosowania procesu topnienia materiałów półpr
layers and covers, as well as processes of materiał removal processing: machining (abrasive, erosion
I 1 Zad. 1 Korzystając z modelu Solowa wyznacz równowagę stacjonarną, gdy produkcja jest funkgą tech
Laboratorium Elektroniki cz I 4 144 7.2.4. Złącze p-n Wykonane w materiale półprzewodnikowym złącz
4.3. Połączenia spawane4.3.1. Materiał nauczania Procesy spawania klasyfikuje się przede wszystkim z
SUBSTYTUCJA MATERIAŁOWA Możliwość procesu substytucji warunkują: •
Jak już wcześniej wspomniano, przemianą materii nazywamy proces przetwarzania pobranych składników
Rozdziali!. MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE Półprzewodniki to materiały powszechnie stosowane do produkcj
METODA BILANSOWANIA MATERIAŁÓW FORMIERSKICH W PROCESIE ODLEWANIA I. DZWONNIK1 Zakład Organizacj
0 Konduktywność materiałów półprzewodnikowych rośnie znacznie wraz ze wzrostem temperatury w zakresi

więcej podobnych podstron