2012 11 26" 24 06

A

1.    Jaki jest cci stosowania procesu topnienia materiałów półprzewodnikowych: QCZ.YSZCZlpNlE

2. Jakie procesy doty czące materiałów półprzewodnikowych przeprowadza się metodą transmutancji impłantacji:

3.    jak zmienia się rezystywność materiałów półprzewodnikowych ze wzrostem temp: MALEJE

4.    na czym polega technologia epitaksjalna oznaczona MlłE: Nanoszenie warstw bez gubięnia cząstek

5.    do wykonania jakich urządzeń nanoelektrycznych może byćstosowana kropka kwantowa: TRAN ZY STOR

6. jakie najmniejsze elementy są widoczne na obrazie mikroskopu skaningowego tunelowego :

7.    jakiego rodzaju cząstki obdarzone ładunkiem elektronowym tworzą głównie prąd przewodzenia w materiałach izolacyjnych stałych i ciekłych: JQN Y

8.    wymień rodzaje polaryzacji elektrycznej dielektryków: elektronowa, jonowa, makroskopowa, dipolowa

9.    jaką wartość mat izolacyjnych określa się za pomocy TWR współczynnika tg delta: STRATNQŚi£

B

1.    wymień najczęściej stosowane pierwiastki na przewodniki elementarne i złożone: elementarne* krzem. german; złożohe^astat gął

2.    jakim ładunkiem większościowym charakteryzuje się półprzewodnik domieszkowany donorowo: ELEKTRON I irFMWY

| 3. jak nazywa się proces krystalizacji rozpoczynający się od jednego zarodka : monokrystalizacja

epitaksjalna oznaczona CYD: zastosowanie redukcji w fazie gazowej