2012 11 26" 24 32

Jhifikm lAHiipu kr/cniu w tlahilny fuilwr    “    ^J •

4.    Jakie technologie stosuje »tę do tworzenia warstw    _UH>    -    ....    \

'•BiU*hsja!n>cl»: MW eptfaWMa i wiązek wniWlnUtBal, procesy CVII    ----—-----

5.    jakie zjawiska lub elementy wykorzystuje się do twor*,_nia nanotrarizystorów kropka U_am_Qv a, zjawisko tunelowe, tranzystory jedno-ęlektronowe

6.    jakiego rodzaju mikroskop stosuje się do obserwacji elementów o wymiarach atomowych, mikroskop tunelowy skaningowy

7.    jaki charakter ma przewodność elektryczna materiałów izolacyjnych ciekłych: JONOWY 8- z jaką własnością dielektryków wiąże się ich polaryzacja elektryczna, PRZF.NIK M NOSĆ

9. wymienić stratne i relaksacyjne rodzaje polaryzacji elektrycznej dielektryków dioptri: DIPOl-OWA, MAKROSKOPOWA

D

1. na czym polega podstawowa metoda oczyszczania mat półprzewodnikowych. TQPNlLN\y.J>TRŁFOWYM

2.    jakie metody (procesy fizyczne) stosuje się do domieszkowania materiałów półprzewodnikowych:    _v

TRANSMUTANCJA. IMPLANTACJA

3.    jak zmienia się rezystywnoSć materiałów półprzewodnikowych ze wzrostem temp: M\LEJE_.

4.    jakie technologie epitaksjalne ma ją szerokie zastosowanie w mat pólpr/ew: MUł ., C V l)______

5.    Jakiego rzędu wymiarami charakteryzuje się kropka kwantowa: tzęrlu-dziesiątek npt

6.    jakiego rodzaju mikroskop stosuje się do obserwacji obiektów o wymiarach nm: tunelowy skaningowy

7.    jaki charakter ma przewodnictwo dielektryków stałych : jonowe

8.    jakie rodzaje polaryzacji elektronowej dielektryków są rezonansowe i bezstratne: ELEKTRONOWE l JONOWE—.

9.    jaka w łasność materiałów izolacyjnych określa się za pomocą WSPÓŁCZYNNIKA tg delta. STRATNOŚĆ