2012 11 26" 24 25

-. j------------------- -»--------- •,/ — -..uiuiuw j^ujc się puipwcwuumK uuuuv_w.—

El FKTBOK I UF.MNY

3.    jak nazywa się proces krystalizacji rozpoczynający się od jednego zarodka: monokrvsta\izac\a

4.    na czym polega technologia epitaksjalna oznaczona CVD: zastosowanie redukcji w fazie gazowej

5.    poniżej jakich wartości wymiarów w ran ma zastosowanie nanotechnologia: PONIŻEJ 5fi nrn

6.    strumień jakich cząstek ma zastosowanie w fotografii wykorzystywanej do rysowania obrazków:

ELEKTRONY

7.    jak zmienia się rezystywność materiałów izolacyjnych ze wzrostem temp ; M AT .EJE

8.    Wymienić bezkształtne rezonansowe rodzaje polaryzacji dielektryków: ATOMOW A1 ELEKTRONÓW A

9.    jakie zjawiska w dielektryku powodują straty (zmiany pola elektrycznego na ciepło}: '.POLARYZACJA 1    •    /

PRZEWODNOŚĆ

C

1. jakimi metodami uzyskuje się Krzem z Si02: metoda redukcji węglem, ahimininm, magnezem

2.    jakie metody stosuje się do monokrystalizacji materiałów półprzewodnikowych: Bridymana. Czochlarskiego

3.    na czym polega metoda transmutacji domieszkowania materiałów półprzewodnikowych: przemiana jądrowa atomów izotopu krzemu w stabilnyjbsfer

\

4.    jakie technologię stosuję się do tworzenia warstw epitaksjalnych: MBE epitaksja z wiązek molekularny^

5.    jakie zjawiska lub elementy wykorzystuje się do tworzenia nanotranzystorów: kropka kwantowa, zjawisko tunelowe, tranzystory jedno-elektronowe

6.    ja kiego rodzaju mikroskop stosuje się do obserwacji elementów o wymiarach atomowych: mikroskop hinAlnwy skaningowy

7.    jaki charakter ma przewodność elektryczna materiałów izolacyjnych ciekłych: JONOWY

8.    z jaką własnością dielektryków wiąże się ich polaryzaśja elektryczną; PR7.F.N1K Al NOŚĆ-

9.    wymienić stratne i relaksacyjne rodzaje polaryzacji elektrycznej dielektryków dioptri: D1POLOW A. MAKROSKOPOWA

D

1 .na czym polega podstawowa metoda oczyszczania mat półprzewodnikowych; TOPNIENIU STREFOWYM 2.jakie metody (procesy fizyczne) stosuje się do domieszkowania materiałów półprzewodnikowych;

,u> \

JK ANS M UIANCJAJMPLANTACJA

■Tiak zmienia się rezy^tywność materiałów półprzewodnikowych ze wzrostem temp: MALEjj