2012 11 26" 24 14

s*ę itijTUjuwKW    IMiprtrawilliKowytk rr w mwtrm temp: MM.Llt

* m c-?*® sv*c>p* »<vH»okągwi epłiAk^wtn* ontacjuna MtH^: Namwreme warstw be/ gubienia cząstek 5 Jk* v»vfck’*te3*s tatach wrewd^en na«K><+tktr>vłn>vh n*v* hy£$tó$ów »na kropka kwantowa: IRAN/YS1QR c\ utje (Hfwwweswe łkiwtwj $4 Mtvkvint na obra/tc mikrnskopu śkaotogówęgo iuncKwcjo : ATOMY

wetraiucjiąstkiohdtanonehdunkkmelektronowymrowrrstgłównieprądpr/ewod/cma w materiałach u£vWi*c>jtt>v'h starych i cMityck

g. v*\ttrfen ankait polaryzacji elektryc-łnc) dielektryków ciek tonowa,    makroskopowa. topolowa

*Aj»M *»rtue4ć mat Izolacyjnych określa się » pomocą INNU współczynnika tg delta: STH.VVNQS?

B

1. wymień najczęściej stosowane pierwiastki na przewodniki elementarne i złożone: elementarne- krzem, german; złoźone-astat. gal

2.    jakim ładunkiem większościowym charakteryzuje się półprzewodnik domieszkowany donorowo:

FI .EKTRONJL J1FMN Y

3.    jak nazywa się proces krystalizacji rozpoczynający się od jednego zarodka manokrystalizacja

4.    na czym polega technologia epitaksjalna oznaczona CVD: zastosowanie redukcji w fazie gazowej

5.    poniżej jakich wartości wymiarów w nm ma zastosowanie nanotechnologia: PONl7.Fi 50 nm

6.    strumień jakich cząstek ma zastosowanie w fotografii wykorzystywanej do rysowania obrazków; ELEKTRONY

7.    jak zmienia się rezystywność materiałów izolacyjnych ze wzrostem temp MALEJE

8.    Wymienić bezkształtne rezonansowe rodzaje polaryzacji dielektryków: ATOMOWA 1 FI EKTRONOWA

9.    jakie zjawiska w dielektryku powodują straty (zmiany pola elektrycznego na ciepło) .POLARYZACJA I PRZEWODNOŚĆ

c

1. jakimi metodami uzyskuje się Krzem z Si02: mej

2.    jakie metody stosuje się do monokrystaiizacji materiałów półprzewodnikowych: iiridgman&i Cznchlarslckyi

3.    na czym polega metoda transmutacji domieszkowania materiałów półprzewodnikowych: przemiana jądrowa atomów izotopa krzewu w stabilny ibsfor

m

4. jakie uchnologię stosuję się do tworzenia warstw efitaksjałnych: MBE epitaksja z wiązek raoWkularar jprocesi ( YB    ,... H H    I    I    9    .. "Ti

4 taicie niwiska łub elementy wykorzystuje się do twonrnia nanotranzystorów. kropka kwantowa, zjawisko