3582333888

PYTANIA TESTOWE

Z „ANALOGOWYCH UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH cłI

1 Wielkosygnalowy model Shichmana - Hodgesa liniowym

tranzystora N-MOS w obszarze

(u_0S-u_Tp_DS

obowiązuje w przedziale napięć: dla Ugs> Ut i Uds>Ugs-Ut

2.    Transkonduktancję g„, w malosygnalowym modelu tranzystora MOSFET można wyznaczyć przy:

składowej stałej napięcia Uns = Ugs-Ut

3.    Częstotliwość graniczną/r tranzystora MOSFET wyznacza się przy:

galwanicznym zwarciu drenu ze źródłem dla składowej zmiennej

4.    Cliarakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego w konfiguracji OE: przecinają się z osią U_CB w początku układu współrzędnych Ic=f(UcE)

5.    Dla malosygnalowego modelu tranzystora bipolarnego:

zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego p wyznacza się przy galwanicznym zwarciu na wyjściu kolektora z emiterem

6.    Pomiędzy częstotliwościami granicznymi/, Jt tranzystora bipolarnego zachodzą relacje:

ffi ^<fa < fr

7.    Układ wzmacniacza na tranzystorze bipolarnym z dwójnikiem ReCe w obwodzie emitera i transformatorem w obwodzie kolektora , U cc = 48 V, spoczynkowy prąd kolektora I_Cq = 400 mA, R_e = 2 fi, transformator obciążony jest po stronie wtórnej rezystancją Rl= 4 fi, rezystancja uzwojenia pierwotnego transformatora r_t = 2 CK rezystancja uzwojenia wtórnego transformatora r_: = 0,2 fi, przekładnia transformatora p= Z\/ Z:)= 5. Napięcie kolektoi-emiter Uceq w spoczynkowym punkcie pracy wynosi.

Ucbq = 4, 4 V

8.    Proste (Rys. 1) i kaskodowe (Rys.2) lustro prądowe na tranzystorach bipolarnych.

Minimalne napięcia wyjściowe w tych lustrach w przybliżeniu wynoszą: Rys. 1    Rys.2

Rys. 1); Uoimmn = U rep ~ 0,7 V    Rys.2); Uoun*n = 2 Urbp = 1,4 V