3582318380

ZESTAW PYTAŃ DO EGZAMINU Z „ANALOGOWYCH UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH I"

1.    Wielkosygnałowy model Schichmana - Hodgesa tranzystora MOSFET -charakterystyki statyczne: wyjściowe i przejściowe.

2.    Zdefiniować i porównać na charakterystyce amplitudowej częstotliwości graniczne f_a, fp, fr tranzystora bipolarnego.

3.    Częstotliwość graniczna f_T tranzystora MOSFET.

4.    Zdefiniować, narysować i porównać: statyczną i dynamiczną prostą pracy w układzie zasilania tranzystora bipolarnego z dwójnikiem R_E C_E w obwodzie emitera i rezystorem R_c w obwodzie kolektora.

5.    Zdefiniować, narysować i porównać: statyczną i dynamiczną prostą pracy w układzie zasilania tranzystora bipolarnego z dwójnikiem R_E C_E w obwodzie emitera i transformatorem w obwodzie kolektora - transformator obciążony jest po stronie wtórnej rezystancją Rl‘, pominąć rezystancje uzwojeń, przekładnia transformatora wynosi p= zj z₂.

6.    Kaskodowe lustro prądowe na tranzystorach NMOS: a) schemat ideowy, b) charakterystyka prądowo napięciowa. Wyznaczyć napięcie wejściowe lustra i minimalne napięcie wyjściowe,

7.    Kaskadowe, niskonapięciowe lustro prądowe typu "high swing" na tranzystorach NMOS: a) schemat ideowy, b) charakterystyka prądowo napięciowa. Wyznaczyć napięcie wejściowe lustra i minimalne napięcie wyjściowe.

8.    Zdefiniować i scharakteryzować parametry wzmacniacza transkonduktancyjnego.

9.    Zdefiniować i scharakteryzować parametry wzmacniacza transimpedancyjnego.

10.    Narysować schematy wzmacniaczy RC w konfiguracjach: OE, OB, OC.

11.    Wzmacniacz OS z obciążeniem aktywnym w postaci tranzystora PMOS w połączeniu diodowym. Charakterystyka przejściowa, małosygnałowy model zastępczy, wzmocnienie i rezystancja wyjściowa.

12.    Wzmacniacz OS z obciążeniem aktywnym ze źródłem stałoprądowym na tranzystorach pMOS z kanałem wzbogacanym. Charakterystyka przejściowa, małosygnałowy model zastępczy, wzmocnienie i rezystancja wyjściowa.

13.    Inwertor CMOS jako małosygnałowy wzmacniacz OS. Charakterystyka przejściowa, małosygnałowy model zastępczy, wzmocnienie i rezystancja wyjściowa.

14.    Charakterystyki przejściowe pary różnicowej: i_Ci = Ąvm), ic2 = Ąvm), icm = f(vm) - prądy kolektorów pary różnicowej i różnicowy prąd wyjściowy w funkcji wejściowego napięcia różnicowego.

15.    Charakterystyki przejściowe pary różnicowej: i_Di = Ąvir) , /q₂ = Kvm), /qr =

Ąv_m) - prądy drenów pary różnicowej i różnicowy prąd wyjściowy w funkcji wejściowego napięcia różnicowego.

str. 1