3582333889

10. Dioda waraktorowa wykazuje:

a.    zmienną pojemność, która zależy od napięcia rewersyjnego

b.    zmienną rezystancję , która zależy od napięcia rewersyjnego

c.    zmienną pojemność , która zależy od prądu przewodzenia cl stalą pojemność w całym zakresie napięć rewersyjnych.

TRANZYSTORY BIPOLARNE

1.    Prąd emitera jest zawsze:

a większy niż prąd bazy    b. mniejszy niż prąd kolektora

c. większy niż prąd kolektora    cl. poprawne są odpowiedzi (a) i (c).

2.    Jeżeli Ic jest 50 razy większy niż I_B , to Iipe wynosi:

a. 0,01    * b. 100    c. 50    d. 500

3.    Jeżeli U_FE =100, to wartość cco wynosi:

a. 99    b. 0,99    c.101    cl. 0,01

4.    Właściwe napięcie na przepustowo spolaryzowanym złączu E-B krzemowego tranzystora bipolarnego wynosi:

a. 0 V '    b. 0,7 V    c. 0,3 V    d. U_BB

5.    Pracujący w stanach odcięcia i nasycenia tranzystor działa jako:

a. wzmacniacz liniowy, b. przełącznik, c. zmienny kondensator, cl zmienny rezystor.

6.    W' stanie odcięcia tranzystora napięcie U_Ce wynosi:

a. 0 V,    b. jest równe napięciu nasycenia,    c. jest prawie równe Ucc>

cl jest równe połowie napięcia U cc-

7.    Aby wprowadzić tranzystor bipolarny w stan nasycenia, należy zapewnić aby:

a I_B = Icscg    b. I_B> IcsJ^FE

c. Ucc wynosił przynajmniej 10 V,    cl. emiter był uziemiony.

8.    Dla tranzystora w nasyceniu dalsze zwiększame prądu bazy

a. pow^roduje w^rzrost prądu kolektora,    b. nie wpłynie na prąd kolektora,

c. powoduje spadek prądu kolektora,    cl. wyłączy tranzystor

9. Maksymalna wartość prądu kolektora w spolaryzowanym tranzystorze wynosi a. hp_EI_B    b. Icsai    c. jest większa niż Ir    cl. Ir ~J_b

10. Idealne obciążenie stałoprądow^fe jest linią prostą na cliaiakterystykach kolektorowych przeciągniętą pomiędzy:

a. punktem pracy a odcięciem,    b. punktem pracy a nasyceniem

c. UcE<cutoff, a Icsct    cL Ir=0 a Ib= Ic/hp_B