23697

p

^uso ⁼ Ko ~    " _D = 0,87V /V gdzie R_a = Rc ⁺

K** +Kg

Rezystancję wyjściową wtórnika emiterowego można określić następująco:

= R_t lk„ ||    = 3,6 lfcii

A ⁺¹

145nF

⁵¹    2af₀(R_ł:+R₀)

Przy wyliczaniu En,* korzystamy z małosygnalowego schematu zastępczego:

=

^R'^+r*

Ł/wy =^.„E_nH,

I wy = C(l + Pn.^r6e)

, + „_rtlA,_A ^k'ⁱ⁼I⁼-/- ⁼¹⁺0~^r6. = ^20MM

y _ ^Rmg    U wy _ ^mg ~Ka^mg

R_lt + r,

9 be

R_n +^r,

9 be

^R9+^rbe

*»łv.. ,__M^£-£z^_{(1+g r} )

^Rsll^r.» ^{+ R}o ^    -R_F||r„+R„ R.+r_k,

_{£ =},    (Kg+^Kjy^+R.) __132V

""    °a-k».)(R_eK)a+9-s-.)    ’

2.Wtomik napięcia ze złączowym tranzystorem polowym(tranzystor unipolarny BF245)

Rg=180 [kQ] Ro=l [kQ] f_d=100 [Hz] Ib.ro-1,2 [mA]

Korzystając z charakteiystyk otrzymujemy:

Idss⁼ 10 [mA]

Up=-3,6 [V]

I_d=1,7 [mA]

Rs=10 [kH] r_d*=25 [klż]

Korzystamy z małosygnalowego schematu zastępczego: