23838

145

powinien wychodzić chwilowy punkt pracy wyznaczony chwilowymi wartościami prądu i napięcia.

Jak pokazano na rys.9.1a, obszar ten dla tranzystora bipolarnego ograniczają linie:

-    minimalnego prądu kolektora l_Cmm, poniżej którego tranzystor wchodzi w stan odcięcia (wystąpią wtedy duże zniekształcenia nieliniowe),

-    maksymalnego prądu kolektora I_Cmax, powyżej którego pojawiają się zniekształcenia związane ze zmniejszaniem wzmocnienia prądowego /), przy dużych prądach,

-    minimalnego napięcia U_CEmln = ć/_{cf m} (wchodzenie w zakres nasycenia wiąże się z dużymi zniekształceniami nieliniowymi),

-    maksymalnego napięcia U_CEmax (ograniczenie wynikające ze zjawiska powielania lawinowego lub zjawiska Zenera),

-    maksymalnej mocy strat P_Cmax, wynikającej z możliwości rozproszenia średniej mocy wydzielonej w tranzystorze i maksymalnej temperatury struktury tranzystora.

Podobny obszar w polu charakterystyk wyjściowych tranzystora polowego i„ = /(«,« ) przedstawiono na rys.9. Ib.

Ograniczają go linie:

-    parabola U_DS = U_GS - U_T rozgraniczająca obszar liniowy (triodowy) od obszaru nasycenia (tylko w obszarze nasycenia tranzystor charakteryzuje się liniowymi właściwościami wzmacniającymi),

-    minimalnego prądu drenu I_Dmin, poniżej którego tranzystor wchodzi w stan odcięcia (co wiąże się z dużymi zniekształceniami nieliniowymi),

-    maksymalnego prądu drenu l_Dmm, powyżej którego wystąpią zniekształcenia nieliniowe spowodowane różnym nachyleniem charakterystyk wyjściowych (różną konduktancją wyjściową tranzystora),

- maksymalnego napięcia    (ograniczenie wynikające z powielania lawinowego nośników w słabo domieszkowanym obszarze podłoża),

- maksymalnej mocy strat    P_Dmm, wynikającej    z możliwości

rozproszenia średniej mocy wydzielonej w tranzystorze.

Od wybranego punktu pracy tranzystora zależą prawie wszystkie parametry tranzystora, przy czym zależność ta jest niekiedy bardzo silna. Najczęściej nie jest możliwe uzyskanie dla wybranego punktu pracy wszystkich parametrów zmiennoprądowych o optymalnych wartościach dla zapewnienia stawianych wymagań projektowych takich jak: