27816

Nr ów.:	Data	Imię i nazwisko:		Wydział:	Semestr:	Grupa nr:
200				Elektryczny	n	E-8
Prowadzący			Przygotował:	Wykonał:	Opracował:	Ocena ost.:

Temat: Wyznaczanie bariery potencjału na złączu p-n.

Wstęp teoretyczny

Dioda p-n jest jednym z najpowszechniej stosowanych elementów ekktrorucznych . Se wzglądu na asymetryczną charakterystykę prądowo - napięciową najczęściej stosuje się ją jako diodę prostowniczą. Diodę stanowią dwa zetknięte ze sobą półprzewodniki , z których jeden jest typu p a drugi typu n. W wyniku ścisłego kontaktu półprzewodników następuje przepływ elektronów do części p oraz dziur do części n.Ta wymiana nośników ustaje po zrównaniu się poziomów Fermiego pomiędzy obu częściami diody i po wytworzeniu się różnicy potencjałów <p . Schemat energetyczny diody przedstawia poniższy rysunek :

✓

4

4

4?

4

>

•Sl

4    *    •    •    •    ¹    •    •    *

4    ♦    ♦♦♦♦♦♦♦♦♦

4

Np, N_n - koncentracje elektro-nów w częśdach p i n, Pp.Pn - koncentracje dziur w częściach p i a,

- bariera potencjału .

Ij - prąd nasycenia,

Id' Prąd dyfuzji,

Ef - energia Fermiego .