41731

Rys. 2.2. Proces generacji i rekombinacji pary' elektron - dziura.

Wv — wierzchołek pasma podstawowego, W, — dno pasma przewodnictwa. Wpr— energia wyjścia elektronu z półprzewodnika.

W półprzewodniku samoistnym mamy do czynienia z generacją par elektron-dziura, w związku z czym koncentracja elektronów i dziur jest taka sama i nosi nazwę koncentracji samoistnej. Zależność koncentracji samoistnej od temperatury przedstawiona jest na rysunku 2.3. Na tej charakterystyce zaznaczono również szerokość przerwy zabronionej danego półprzewodnika.

$r>		&■>	&■>				V-
1	8 'C	8 >	8	8 <N	8	8	*r- r\

Rys. 2.3. Zależność koncentracji samoistnej półprzewodnika od temperatury.