5792344315

Rys. 2.2. Proces generacji i rekombinacji pary elektron - dziura.

Wy - wierzchołek pasma podstawowego, W_c - dno pasma przewodnictwa, W_pr- energia wyjścia elektronu z półprzewodnika.

W półprzewodniku samoistnym mamy do czynienia z generacją par elektron-dziura, w związku z czym koncentracja elektronów i dziur jest taka sama i nosi nazwę koncentracji samoistnej. Zależność koncentracji samoistnej od temperatury przedstawiona jest na rysunku 2.3. Na tej charakterystyce zaznaczono również szerokość przerwy zabronionej danego półprzewodnika.

Rys. 2.3. Zależność koncentracji samoistnej półprzewodnika od temperatury.

17