49535

zależy od rodzaju półprzewodnika i temperatury. Nośniki nadmiarowe zakłócają koncentrację nośników.

Rekombinacja nośników. Bezpośrednia - bezpośrednie przejście elektronu z p-przew. do nie obsadzonego stanu w p-podst. w wyniku czego znika jeden elektron w p-pizew. i jedna dziura w p-podst Uwolniona energia zostaje uniesiona przez foton (rekombinacja promienista) albo zostaje pizekazana innemu elektronowi w p-pizew lub dziurze w p-podst. (energia unoszona emitowane fonony). Pośrednia - pizejście elektronu z p-przew do p-podst. w sposób dwustopniowy, poprzez pewne zlokalizowane stany kwantowe zwane pułapkami a utworzone przez różne rodzaje defektów struktury krystalicznej. Z pułapką związane są dyskretne poziomy energetyczne w przerwie energetycznej półprzewodnika. Mogą mieć cliarakter donorowy (w stanie obsadzenia przez elektrony są elektrycznie obojętne) lub akceptorowy (w stanie obsadzenia pizez elektrony są zjonizowane). Są cztery rodzaje przejść elektronu. Wychwyt elektronu z p-przew'. Elektron z p-przew. może przejść na nie obsadzony poziom pułapkowy W, w' wyniku czego elektron zostaje zlokalizowany w stanie pułapkowym a jego eneigia spada z wartości, jaką miał w p-przew. do w^rartości W,. Wyzwolona nadwyżka energii zostaje najczęściej zużyta na emisję pewnej liczby fononów' Emisja elektronu z poziomu pułapkowego do p-przew gdy elektron schwytany w pułapkę zostaje z powTotem wzbudzony do p-pizew. Wychwyt dziurowy - pizejście elektronu ze stanu pułapkowego do p-podst Emisja dziury z poziomu pułapkowego do p-podst. co jest równoważne pizejściu elektronu z p-podst. na poziom pułapkowy.

Wszystkie te 4 procesy zachodzą z pewną szybkością określającą liczbę przejść przypadających na jednostkę objętości półpizew^rodników^r i jednostkę czasu. Szybkości te zależą od koncentracji pułapek, ich własności fizycznych (między innymi od położenia poziomu W, w stosunku do krawędzi pasm eneigetycznych) i od koncentracji nośników' w poszczególnych pasmach. W stanie równowagi termodynamicznej 1 i 2 oraz 3 i 4 zachodzą z prawie takimi samymi szybkościami. Gdy nadmiar elektronów i dziur, to 1 i 3 zachodzą z większą intensywnością niż 2 i 4. Szybkość rekombinacji większa od szybkości generacji termicznej, co sprawia, że rekombinacja staje się procesem przywracającym stan równowagi termodynamicznej w półprzewodniku. Gdy niedobór nośników, to 1 i 3 staje się mniej praw^r-dopodobne od 2 i 4 Procesem dominującym staje się generacja termiczna.