AGH, WIET |
ELEMENTY ELEKTRONICZNE - LABORATORIUM |
Rok 1 EiT |
Nr ćwiczenia: |
Temat | |
7 |
Parametr małosy gnało we tranzystorów bipolarnych | |
Data |
itTię i nazwisko: |
Ocena: |
wykonania: |
Mateusz Fundakowski | |
20-05-2013 |
Krystian Majer |
1. Cel ćwiczenia
Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów mato sygnałowych modelu hybrydowego i modelu hybryd n tranzystora bipolarne go.
2. Wstąp teoretyczny
Tranzystor - półprzewodnikowy e le me nt e lektroniczny mający zdolność wzmacniania sygnału. Istnieją dwie główne grupy tranzystorów różniące sią zasadą działania - tranzystorybipolame i unipolarne (po lowe).
C^udlirysKłjŁaruy^crilęokmf ęo dk pncyw •AJ \ńi x wspbku ro t j.iz n
Tranzystor bipolarny- prąd przepływa w nim przez złącza o różnym typie przewodnictwa. Tranzystorybipolarne mogąbyf rodzaju p-n-p lub n-p-n. Niewielki prąd wpływający do tranzystora steruje wielokrotnie wiąkszym prądem z niego wypływającym. Poszczególne elektrody tego tranzystora noszą nazwy emiter, baza, kolektor. Im cieńsza baza tym lepszy tranzystor, ponieważ nośniki przepływające przez bazą mają tam mniejszą szansą rekombinacji, mogąwiąc poruszać sią dalej.
Tranzystor bipolarny można włączyć do obwodu na trzy sposoby
- wspólny emiter (WE) - tranzystor ma duże wzmocnienie napiąciowe i prądowe, duże jest te ż wzmóc nienie moc y,
- wspólna baza (WB) - mała rezystancja wej śc iowa i duża rezystancj a wyj ścio wa, nie wielkie wzmocnienie prądowe,
- wspólny kolektor (WC) - duża rezystancja wejściówka, niewielkie wzmocnienie napiąciowe, duże wzmocnienie prądowe.
W zależności od polaryzacji złączy-kolektorowego i emiterowego, możemy wyróżnić nastąpujące stany pracy tranzystora bipolarnego:
- aktywny przewodzenia - złącze emiterowe jest spolaryzowane przewrodząco, a złącze kolektorowe zaporowo,
- nasycenia - oba złącza spolaryzowane są w kierunku przewodzenia,
- zatkania - oba złącza spolaryzowane są w kierunku zaporowym,
- inwersyjny przewodzenia - złącze emiterowre jest spolaryzowane zaporo wro, a złącze kolektorowe przewodzące.
Modele mało sygnało wre tranzystorów mają na celu przedstawienie tranzystora za pomocą obwrodu limo wago. Taka reprezentacja tranzystora pozwala na zastąpienie go układem liniowym w wiąkszym obwodzie i zastosowanie powszechnie znanych metod analizy