124857

AGH, WIE T	ELEMENTY ELEKTRONICZNE - LABORATORIUM	Rok 1 EiT
Nr ćwiczenia:	Emat:
6	Rz ełącz anie tranzy storów bipolarnych
D ata wykonania:	Imię i nazwisk o:	Ocena:
22-04-2013	Tbmasz Durhtka, Szymon IVjrek

1. Cd wiertnia:

Celem ćwiczenia są obserwac je przełącz ania tranzystorów bipolarnych sterowanych impulsamiprądowymio przeciwnych kierunkach (+1,-1) oraz pomiary czasów przełączania i wyznaczenie charakterystycznych stałych czasowychdeiiniujących własność i impulsowe tranzystorów.

2. Teoria: ftanzystor bpolamy:

Tb odmiana tranzystora,p-Sprzewodnikowy element elektroniczny, mający zdolność wzmacniania sygnału. Zbudowany jest z trzech warstw półprzewodnika o rożnym typie przewodnictwa. Charakteryzuje się tym, że niewielkiprąd płynący pomiędzy dwiema jego etektrodami, nazywany mibazą i emierem, steruje większym prądem płynącym między emierem, a trzecią e lektrodą , nazywaną kolektorem.

Budowa tranzy stora bipohme go:

Itanzystor bipolarny składa się z trzechwarstw półprzewodnfca o różnym typie przewodnictwa: p-n-p łubn-p-n (ćtnieją więc dwa rodzaje tranzystorów bipolarnych: pnp inpn).

Poszczególrie warstwynosząnazwy:

•emier (oznaczonyprzez E) warstwa sihie domieszkowana •baza (oznaczona przez B) warstwa cienka i słabo domieszkowana •kolektor (oznaczony przez C)

W ten sposób twórz ą się dwa złącz a p-n: baza-emiter (nazywane krótko złącz em emitera) oraz baz a-kokktor (nazywane złącz em kolektora).

Schemat tranzystora npn:    Schemat tranzystorapnp:    Hranzystor wykorzystywany w ćw k zenii:

ł. Nkt.M

Zasada działania tranzystora bęolamego:

Wnormalnyrh warunkach pracy złącze kolektora jest spohiyzow ane zaporowo. Napięcie przyłożone do złącza baza-emiter w kierunku prze wodzeniapowoduje przepływ prądu przez to złącze - nośnia z emiera (elektrony w tranzystorach npn hb dziury w tranzystorachpnp) przechodzą do obszaru bazy (stądnazwa elektrody: emiter,bo emituje nośniki). Nośników przechodzących w przeciwną stronę, odbazy do emitera jest niewiele, ze względuna słabe domieszkowanie bazy. Nośniki wprowadzone z emitera do obszarubazy dyiundują w stronę mniejszej ich koncentracji • do kolektora. Dzięki niewielkiej grubość i obszaru bazy trafiają do obsz aru drugiego złącza, a tuna skutek poh elektrycznego w obszarze zubożonym są przyciągane dokolektora.

Wrezultacie,poprzyłożenii do złącza emiterowego napięcia w kierunku przewodzenia, popłynie niewie ki prąd między bazą a emiterem, umożliwiający przepływ duże go prądu między kolektorem a emiterem. Stosunek prądukolektora do prądubazy nazywany jest wzmocnienie m prądowym tranzystora i oznac za się grecką llerą p.

kmi

n*' o

Przepływ prądów w tranzystorze pnp

Przepływ prądów w tranzystorze npn