200 05, nr


nr

ćwicz.

200

data

Marlena Gabrysiak

Wydział

BM

Semestr

II

grupa Z1

prowadzący mgr D. Kasprowicz

przygotowanie

wykonanie

ocena ostatecz.

Temat: Wyznaczanie bariery potencjału na złączu p-n .

Wstęp teoretyczny

0x01 graphic
0x01 graphic

Dioda p-n jest jednym z najpowszechniej stosowanych elementów elektronicznych . Ze względu na asymetryczną charakterystykę prądowo - napięciową najczęściej stosuje się ją jako diodę prostowniczą . Diodę stanowią dwa zetknięte ze sobą półprzwodniki , z których jeden jest typu p a drugi typu n . W wyniku ścisłego kontaktu półprzewodników następuje przepływ elektronów do części p oraz dziur do części n .Ta wymiana nośników ustaje po zrównaniu się poziomów Fermiego pomiędzy obu częściami diody i po wytworzeniu się różnicy potencjałów j . Schemat energetyczny diody przedstawia poniższy rysunek :

Np , Nn - koncentracje elektro-nów w częściach p i n ,

Pp , Pn - koncentracje dziur w częściach p i n ,

j - bariera potencjału .

Is - prąd nasycenia ,

Id - prąd dyfuzji ,

EF - energia Fermiego .

Przyłożenie do diody zewnętrznego napięcia powoduje zmianę bariery potencjału . Wynosi ona wtedy : 0x01 graphic
.

W diodzie p-n występują dwie przyczyny ukierunkowanego ruchu nośników :

1) Dążenie do znalezienia się w obszarze o najniższej energii potencjalnej ,

Ten mechanizm powoduje ruch elektronów z obszaru p do obszaru n oraz ruch dziur z obszaru n do obszaru p .Suma strumieni tych nośników tworzy prąd nasycenia Is , który zależy jedynie od koncentracji Np i Pn , nie zalezy natomiast od przyłożonego napięcia . Ponieważ koncentracja nośników określona jest wzorem : ,

a natężenie prądu nasycenia jest proporcjonalne do koncentracji nośników , zatem :

,

C jest stałą .

2) Dążenie do wyrównania koncentracji , czyli dyfuzja nośników .

Prąd dyfuzyjny elektronów jest proporcjonalny do różnicy koncentracji elektronów i do prawdopodobieństwa pokonania bariery potencjału . Wyraża się on wzorem :

.

Wypadkowy prąd jest różnicą tych dwóch prądów i wynosi :

Zasada pomiaru

Wykorzystując charaktertystykę diody w kierunku przewodzenia , przy założeniu :

eV>5kT można zaniedbać jedynkę we wzorze (*) , kóry po zlogarytmowaniu przymie postać :

.(*)

Ponieważ wartość EW - EF jest rzędu 10-2eV i jest o co najmniej rząd wielkości mniejsza niż wysokość bariery ej , wię można ją zaniedbać . Wysokość bariery można wyznaczyć ze wzoru :

.

Jeżeli nie znamy stałej C , to musimy wykonać kilka charakterystyk prądowo - napięciowych

w różnych temperaturach , dla każdej z nich znaleźć prąd nasycenia Is i następnie wykonać wykres : ln Is= f(1/T) . Wykresm jest linia prosta , której współczynnik nachylenia wynosi :

0x01 graphic
. Obliczamy ten współczynnik metodą regresji liniowej i znajdujemy barierę potencjału z zależności : 0x01 graphic
.

Układ pomiarowy

Pomiary

Pomiarów dokonywano dla trzech różnych temperatur, zaczynając od napięcia, dla którego występowało maksymalne wychylenie mikroamperomierza.

Tabela pomiarowa

T=279 K

T=286 K

T=326 K

U [V]

I [μA]

U [V]

I [μA]

U [V]

I [μA]

0.54

75

0.53

77

0.43

70

0.53

54

0.52

63

0.42

58

0.52

44

0.51

51

0.41

48

0.51

35

0.50

40

0.40

39

0.50

28

0.49

33

0.39

33

0.49

22

0.48

26

0.38

27

0.48

18

0.47

21

0.37

22

0.47

14

0.46

17

0.36

18

0.46

11

0.45

14

0.35

15

0.45

9

0.44

11

0.34

12

0.44

7

0.43

9

0.33

10

0.43

6

0.42

7

0.32

9

0.41

6

0.31

7

Wyznaczenie prądu nasycenia

Ponieważ prąd nasycenia jest związany z napięciem i prądem następującą zależnością :

0x01 graphic
.

Jeśli wykreślimy to równanie we współrzędnych x=V i y=lnI otrzymamy linię prostą przcinającą oś y w punkcie , który ma wartość : lnIs . Punkt ten można zatem znaleźć za pomocą regresji liniowej . Postępując tak dla wszystkich temperatur otrzymujemy :

T=285.15 K

T=291.15 K

T=295.15 K

T=306.15 K

T=314.15 K

b=lnIs

-19.0681

-18.5136

-18.3591

-17.569

-17.2202

b

0.13565

0.139116

0.150349

0.143321

0.140623

Is[A]

5.234E-09

9.113E-09

1.064E-08

2.344E-08

3.322E-08

Is[A]

0.71E-09

1.268E-09

0.164E-08

0.336E-08

0.467E-08

Prąd nasycenia jest równy :

0x01 graphic

Błędy pomiaru prądu nasycenia :

.

Wyznaczenie bariery potencjału

Bariera potencjału została wyznaczona także przy pomocy regresji liniowej . Wyznaczamy współczynnik nachylenia prostej o równaniu :

0x01 graphic
,

gdzie y=1/T ,

x=lnIs .

Współczynnik nachylenia prostej wyznaczony metodą regresji wynosi :

a= -5694.62 ,

Błąd wyznaczenia tego współczynnika :

a=306.4059 .

Korzystając z równania :

0x01 graphic
,

wyznaczymy barierę potencjału :

= -0.47029 [V] .

Błąd wyznaczenia bariery potencjału :

0x01 graphic
.

Wynik

= -(47026) [mV]

Wnioski

Z uzyskanych w doświadczeniu wyników można wywnioskować , że badana była dioda germanowa . Ma ona barierę potencjału najbliższą wynikowi .

Wynik końcowy obarczony jest stosunkowo niewielkim błędem . Należy jednak zwrócić uwagę na to , że odchylenie standardowe po zastosowaniu regresji liniowej . Dużym błędem obarczone są natomiast bezpośrednie wyniki pomiaru .



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
PODKŁAD MAPOWY 1 200 PROJEKT NR 05 ZABUDOWA ISTN
PODKŁAD MAPOWY 1 200 PROJEKT NR 05 ZABUDOWA ISTN
Rozporządzenie Ministra Rolnictwa i Rozwoju Wsi z dnia$ czerwca 02 r (Dz U Nr?, poz ?6, z 05 r N
dz u 05 nr1 poz 33 rozp prezesa rm z dnia sierpnia 05 r
209-05, Nr ˙wicz.
Rozporządzenie Ministra Zdrowia z dnia 1 grudnia 04 r (Dz U Nr(0, poz '71, z 05 r Nr0, poz 56)
Rozporządzenie Ministra Gospodarki i Pracy z dnia' lipca 04 r (Dz U Nr0, poz 60, z 05 r Nr6,
Rozporządzenie Ministra Infrastruktury z dnia marca 02 r (Dz U Nr7, poz 41, z 05 r Nr!9, poz 
Rozporządzenie Ministra Zdrowia z dnia0 grudnia 04 r (Dz U z 05 r Nr, poz ?, z 08 r Nr 3, poz
Nr 86 05 2010
2015 08 05 Dec nr 1 MON Gosp psami służb
Aneks nr 2 Prospekt PKO BP 05 10 2009
05.Grupy społeczne, 12.PRACA W SZKOLE, ZSG NR 4 2008-2009, PG NR 5
PE Nr 05 98
PE Nr 05 97
Zarzadzenie nr 6 GDDP 9-05-2000-nr drog kraj, Budownictwo, Prawo

więcej podobnych podstron