ND_0I Wykład tradycyjny z prezentacją multimedialną, dyskusją oraz demonstracją wybranych elementów omawianych na zajęciach
ND_02 Seminarium: prezentacje wybranych zagadnień przez studentów wraz z dyskusją i uzupełnieniem
prowadzącego: dwa krótkie, 10-minutowe sprawdziany w semestrze, możliwa wizyta w laboratorium badań spektroskopowych
ND_03 Konsultacje
ND_04 Praca własna - przygotowanie do seminarium zadanych zagadnień
ND_05 Praca własna — samodzielne studia i przygotowanie do kolokwium_
OCENA OSIĄGNIĘCIA PRZEDMIOTOWYCH EFEKTÓW KSZTAŁCENIA
Oceny |
Numer efektu kształcenia |
Sposób osiągnięcia efektu kształcenia |
PI = FI (wykład) |
PEK_W01 |
Kolokw ium zaliczeniowe na ostatnim wykładzie |
P2 = F2 (sem) |
PEKJJ01, PEK_K01 |
Średnia ocena z prezentacji, kartkówek i udziału w dyskusji |
Literatura podstawowa
1. Springer Handbook of Nanotechnology, Bharat Bhushan Editor, Springer-Verlang Berlin Heidelberg 2004
2. J. C. Ellenbogen, J. Christopher Love, Architectures for Molecular Electronic Computers: 1. Logic Structures and an Adder Designed from Molecular Electronic Diodes, lipiec 1999
3. J. H. Davies, A. R. Long, Physics of Nanostructures, Proceedings of the Thirty-Eighth Scottish Universitates Summer School in Physics St Andrews, 1991
4. R. Eisberg, R. Resnick, Fizyka Kwantowa atomów’, cząsteczek, ciał stałych, jąder i cząsteczek elementarnych, PWN, Warszawa 1983
5. C. Joachim, J. K. Gimzewski, A. Aviram, Electronics using hybrid-molecular and mono-molecular devices, Naturę, vol 408, 30 November 2000
6. D. Goldhaber-Gordon, Michael S. Montemerlo, J. Christopher Love, Gregory J. Opiteck, James C. Ellenbogen, Overview of nanoelectronic devices, The Procedings of the IEEE, April 1997
7. Kenneth J. Klabunde, Nanoscale Materials in Chemistry, Wiley, 2001
8. Bernard Ziętek, Optoelektronika. Wydawnictwo Uniwersytetu Mikołaja Kopernika. Toruń 2004
9. Pallab Bhattacharya, Semicondudtor Optoelectronic Devices, Second Edition, Prentice Hall New Jersey 1997
Literatura uzupełniająca
1. D. Pucicki, Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur InyGal -yAs 1 -xNx/GaAs przeznaczonych do konstrukcji przy rządów’ optoelektronicznych, rozprawa doktorska. P.Wr. 2006