3784490393

129

Zastosowanie progresu IZTIS do...

Przykład 2

Obliczyć wrażliwość napięcia wyjściowego u(t) wobec pojesnoścl C w układzie całkujęcys m wzaacnlaczaa operacyjnys (rys. 5). Przyjęć warunek poczętkowy na kondensatorze równy IV. Dane:R-lk&, Ol^tF, E-lv.

Dana dla progresu IZTIS zawarta aą na rys. 5. Uzyskane rezultaty zawiera rys. 6. Błęd w stosunku do rozwiązania dokładnego:

nia przekroczył 20 ppa.

♦CIRCUIT

FI /TAB2/ 001 1 R 1 O Ik E l*Fl<riME>

E < t)=E • 1(t) #V

C 1 2 luF. . RO 2 3 O E IV G O 1 1 VOF 2 O VG ♦TIME Oms 3ms

Rys. 5. Układ całkujęcy z WO i jego opis przygotowany dla prograsu IZTIS

Fig. 5. Integral network and data for IZTIS progras

Przykład 3

Określić wpływ zalań rezystancji rezystora R na przebieg napięcia u(t) w słabo tłusionys obwodzie RLC (rys. 7) pobudzonys akokies Jed-nostkowys E(t) - E«l(t). Dana:    E-lV, R-O.lft L-lH, C-1F.

Rozwięzanle dokładne dane jest wzoras:

-    —■ ■■ exp    sin (bit) ♦ c os (u)t )^j    (3)

w

(4)

3

Rys. 8 przedstawia rozwięzanle uzyskane za ponocę progresu IZTIS. Zwiększenie rezystancji R w obwodzie powoduje stłusienie drgań. Stęd obliczo na wrażliwość aa przebieg sinusoidalny - dodatnie półokresy napięcia u(t) sowiadaję ujesnys półokresom pochodnej —. Asplituda przebiegu dla t-*-°° zbliża aię do zera (stan ustalony w obwodzie), nato-■iast aakslBus przyjmuje dla chwili t zbliżonej do stałej czasowej tłuslenia obwodu (20 s). Tuż po załęczeniu napięcia E(t) napięcia u(t) narasta w kierunku E, przy czyś ia większa rezystancja R, tys dłuższy czas narastania. Stęd przebieg    zaczyna aię ujesnys półokreses.