plik


ÿþPOLITECHNIKA BIAAOSTOCKA WYDZIAA ELEKTRYCZNY ___________________________________________________________ Laboratorium Miernictwa Elektrycznego Charakterystyki statyczne tranzystora Instrukcja do wiczenia Nr 2 ___________________________________________________ BiaBystok 1998 2 wicz. Nr 2 Charakterystyki statyczne tranzystora 1. Wprowadzenie wiczenie ma na celu nauczenie studentów techniki zdejmowania charakte- rystyk metod  punkt po punkcie oraz graficznego  przedstawiania tych charakterystyk. Jest tak|e dla nich okazj do poznania podstawowych wBa[ciwo[ci tranzystora bipolarnego. 2. Przebieg wiczenia 2.1. Zdejmowanie charakterystyk IC = f(UCE) dla ró|nych prdów bazy Na wstpie nale|y poBczy ukBad przedstawiony na rysunku 1. RC IC mA1 C + RB IB B mA1 V2 UCE UZ2 ZS2 + ZS1 UZ1 V1 UBE E Rys.1. Schemat ukBadu pomiarowego ZS1 - zasilacz stabilizowany z wbudowanym woltomierzem ZS2 - zasilacz stabilizowany o prdzie maksymalnym 2,5 A V1, V2 - woltomierze cyfrowe dowolnego typu mA1, mA2 -miliamperomierze magnetoelektryczne typu LM-3 RB,RC - oporniki 6-cio dekadowe T - badany tranzystor typu n-p-n 3 wicz. Nr 2 Charakterystyki statyczne tranzystora Kolejno[ czynno[ci 1. Nastaw RC = 5&! (5x1&!) 2. Nastaw RB = 99 999 &! 3. Nastaw zakresy pomiarowe woltomierzy: Un1 = Un2 = 1V (tryb DC) 4. Nastaw zakresy pomiarowe In1, In2 miliamperomierzy takie, jakie podano przy odpowiednich tablicach (Tablice 1 - 4) 5. Ustaw pokrtBa regulatorów napicia obu zasilaczy w pozycji zerowej 6. WBcz napicia zasilajce zasilaczy i woltomierzy cyfrowych 7. Nastaw napicie wyj[ciowe zasilacza ZS1 równe UZ1 = 5V, kierujc si wskazaniami wbudowanego doD woltomierza 8. Zmniejszaj stopniowo rezystancj RB, a| do uzyskania prdu IB podanego w stosownej Tablicy 9. Zwikszaj stopniowo napicie UZ2, obserwujc wskazanie miliamperomierza mA2 , dla prdów IC wskazanych w Tablicy notuj warto[ci napicia UCE wskazywane przez woltomierz V2. W dalszej cz[ci charakterystyki nastawiaj dla odmiany podane w Tablicy warto[ci napicia UCE i notuj warto[ci prdu IC. Uwaga: Przy ka|dym punkcie pomiaru nale|y sprawdza nastawion na pocztku warto[ prdu bazy IB i w razie konieczno[ci regulowa j opornikiem RB Tablica 1 IB =1 mA Zakresy pomiarowe: In1 = 3 mA In2 = 150 mA IC mA 20 40 60 80 100 120 UCE V 0,4 0,6 0,8 1,0 Tablica 2 IB =2 mA Zakresy pomiarowe: In1 = 3 mA In2 = 300 mA IC mA 50 100 150 200 250 UCE V 0,4 0,6 0,8 0,9 1,0 Tablica 3 IB =3 mA Zakresy pomiarowe: In1 = 3 mA In2 = 750 mA IC mA 100 150 200 250 300 350 UCE V 0,3 0,4 0,8 1,0 4 wicz. Nr 2 Charakterystyki statyczne tranzystora Tablica 4 IB =4 mA Zakresy pomiarowe: In1 = 7,5 mA In2 = 750 mA IC mA 100 200 300 400 500 UCE V 0,4 0,6 0,8 0,9 1,0 W sprawozdaniu nale|y wykre[li na papierze milimetrowym 4 charak- terystyki IC = f(UCE) we wspólnym ukBadzie wspóBrzdnych prostoktnych. Zaleca si zastosowanie nastpujcych wspóBczynników skal: 1 cm <" 100 mA oraz 1 cm <" 0,1 V. 2.2. Badanie tranzystora jako zródBa prdowego Pomiary nale|y przeprowadzi w tym samym co poprzednio ukBadzie z rysunku 1. Kolejno[ czynno[ci 1. Nastaw nastpujce zakresy pomiarowe: Un1=1V, Un2=10V, In1=3mA, In2=150 mA 2. Nastaw rezystancje: RB= 99 999 &!, RC= 0 &! 3. WBcz napicie sieciowe obydwu zasilaczy i nastaw: UZ1= 5V, UZ2= 1 V 4. Zmniejszajc stopniowo rezystancj RB, nastaw prd bazy IB=1 mA 5. Regulatorem zasilacza ZS2 nastaw UZ2=2 V 6. Sprawdz teraz, czy prd bazy ma warto[ 1 mA i ewentualnie skoryguj ten prd 7. Zmieniajc rezystancj RC w przedziale od 0 &! do 10 &!, notuj w Tablicy 5 warto[ci IC, UCE Tablica 5 IB = 1 mA RC 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 &! IC mA UCE V W sprawozdaniu nale|y: 1. Wykre[li we wspólnym ukBadzie wspóBrzdnych charakterystyki: IC=f(RC); UCE=f(RC). Zaleca si przyjcie nastpujcych wspóBczynników skal: 1cm <" 0,1&!; 1cm <" 0,2 V; 1cm <" 20 mA. 5 wicz. Nr 2 Charakterystyki statyczne tranzystora 2. Obja[nij zmienno[ napicia UCE w powizaniu z przebiegiem prdu IC przy zmianach rezystancji RC, pamitajc, |e napicie wyj[ciowe UZ2 zasilacza zachowywaBo staB warto[. 3. Wyja[nij dlaczego i w jakim zakresie tranzystor mo|e pracowa jako zródBo prdowe. 2.3. Zdejmowanie charakterystyk IC = f(IB) dla ustalonych napi UCE Pomiary nale|y wykona w ukBadzie z rysunku 1. Kolejno[ czynno[ci 1. Nastaw zakresy: Un1= 1 V; Un2= 10 V; In1= 30 mA; In2= 3000 mA 2. Nastaw: UZ1= 5 V; UCE= 1V; RB= 99 999 &!; RC= 1 &!; (10 x 0,1 &! !) &! &! &! 3. Regulujc rezystancj RB, nastawiaj warto[ci prdu IB podane w Tablicy 6, notuj warto[ci prdu IC. Utrzymuj staB warto[ napicia UCE=1 V Tablica 6 UCE =1 V; RC = 1 &! (10 x 0,1 &! !) &! &! &! &! &! &! IB mA 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 IC mA h21E - - Powtórz pomiary dla UCE=5 V, notujc wyniki w Tablicy 7 Tablica 7 UCE = 5 V; RC = 1 &! (10 x 0,1 &! !) &! &! &! &! &! &! IB mA 0 2 4 6 8 10 12 14 IC mA h21E - 6 wicz. Nr 2 Charakterystyki statyczne tranzystora W sprawozdaniu nale|y: 1. Obliczy wspóBczynniki wzmocnienia prdowego h21E wedBug wzoru: "IC h21E = "I B 2. Wykre[li we wspólnym ukBadzie wspóBrzdnych prostoktnych charakte- rystyki IC=f(IB). Zaleca si przyjcie nastpujcych wspóBczynników skal: 1cm <" 200 mA (o[ Y) oraz 1cm <" 2 mA (o[ X) 3. Pytania i zagadnienia teoretyczne 1. Narysuj i obja[nij symbole tranzystorów typu p-n-p oraz n-p-n 2. Narysuj ukBady tranzystorów: a) ze wspólna baz, b) ze wspólnym emiterem, c) ze wspólnym kolektorem 3. Narysuj rodzin charakterystyk IC=f(UCE) dla IB= const. 4. Obja[nij na podstawie powy|szych charakterystyk zakresy pracy tranzystora: a) zakres aktywny, b) zakres nasycenia, c) zakres zatkania 5. W jaki sposób mo|na przeprowadzi tranzystor ze stanu zatkania w stan nasycenia? 6. W jakich warunkach tranzystor peBni rol zródBa prdowego? 7. Co nale|y zmieni w ukBadzie z rysunku 1, aby mo|na byBo bada w nim tranzystor typu p-n-p? 4. Literatura 1. Antoniewicz J. Elektronika, podstawy fizyczne, elementy, ukBady WNT, Warszawa, 1979 2. GoBbiowski K. Elektronika dla elektryków Skrypt Politechniki BiaBostockiej, BiaBystok 1993 3. Jaczewski J. i inni Podstawy elektroniki i energoelektroniki WNT, Warszawa 1981 4. LipiDski E. Podstawy elektroniki dla elektryków WNT, Warszawa 1975, 5. RosiDski W. Zasady dziaBania tranzystorów WNT, Warszawa 1977 6. Rusek M. i inni Elementy i ukBady elektroniczne w pytaniach WNT, Warszawa, 1991

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
F 4 Charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego
Cw 1 charakterystyki statyczne PM S
Cw 1 charakterystyki statyczne
Charakterystyki statyczne wybranych elementow liniowych
Badanie charakterystyk statycznych
Charakterystyki statyczne i skokowe regulatorow pneumatycznych
Rysowanie charakterystyki przejściowej tranzystora
charakterystyka statyczna
Charakterystyki statyczne pneumatycznych elementow licz cych
F 4 Charakterystyki wyjściowe tranzystora PNFET
Statyczne I Dynamiczne Obciazenie Tranzystora
F 2 Charakterystyki tranzystora IGBT
32 Wyznaczanie modułu piezoelektrycznego d metodą statyczną
Escherichia coli charakterystyka i wykrywanie w zywności Cz I
07 Charakteryzowanie budowy pojazdów samochodowych

więcej podobnych podstron