Charakterystyki tranzystora IGBT
IC = f(UCE )
UGE = const.
IC [mA]
UGE = 7V
zakres nasycenia
zakres
liniowy
UGE = 6V
UGE = 5V
UGE = 4V
0 UCE sat UGE=UT UCE [V]
~ 0,7 V
Rodzina charakterystyk wyjściowych tranzystora IGBT
z kanałem wzbogacanym typu n
IC =f(UGE)
UCE =const.
IC [mA]
UCE2
UCE1
UCE2 > UCE1
UT  napięcie progowe
0 UT UGE [V]
Charakterystyki przejściowe tranzystora IGBT
z kanałem wzbogacanym typu n