3818438235

l.Charakterystyka przejściowa bramki NAND

W celu uzyskania charakterystyki przejściowe] branki NAND realizowanej w technice tranzystorowo - tranzystorowej należało dokonać serii pomiarów. Pomiary polegały na podaniu napięcia wejściowego z generatora następnie należało odczytać napięcie wejściowe i napięcie wyjściowe. W ten sposób mogliśmy zaobserwować jaki wpływ na napięcie wyjściowe mają tranzystory. Wyniki przedstawiam w tabeli oraz na wykresie poniżej.

DC [V]	Uln [V]	U OUT [V]
0	0,05309	4,69
0,1	0,15186	4,68
0,2	0,25064	4,68
0,3	0,349421	4,686
0,4	0,448196	4,686
0,5	0,546958	4,66
0,6	0,645685	4,58
0,7	0,744397	4,437
0,8	0,843105	4,166
0,9	0,941812	3,857
1,0	1,04	3,544
1,1	1,139	3,23
1,2	1,237	2,893
1,3	1,336	2,177
1,31	1,346	2,018
1,32	1,356	1,832
1,33	1,366	1,616
1,34	1,375	1,37
1,35	1,385	1,091
1,36	1,395	0,76348
1,37	1,40	0,26827
1,38	1,409	0,005843
1,39	1,415	0,005877
1,4	1,421	0,00591
1,5	1,475	0,00626
2,0	1,835	0,00734
3,0	2,829	0,007389
4,0	3,823	0,007432
5,0	4,817	0,007475

u,.-[v]

Charakterystyka przejściowa bramki NAND

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5 1.0 0.5 0.0

3

U t. |V)