30483

4 Charakterystyka wyjściowa bramki NAND w stanie niskim

L.p	Iwy [mA]	Uwy [V]
1	245,1	2,55
2	4,98	0,01794
3	2	0,01172
4	1,43	0,01052
5	1,04	0,0097
6	0,845	0,00929
7	0,713	0,00901
8	0,623	0,00882
9	0,554	0,00867
10	0,499	0,00855

Wnioski:

Ćwiczenie polegało na przeprowadzeniu komputerowej analizy bramki logicznej NAND TTL.

W czterech etapach dokonaliśmy serii pomiarów, które pozwoliły na stworzenie charakterystyk badanej bramki.

W pierwszej części ćwiczenia wyznaczyliśmy charakterystykę przejściową bramki NAND. Zwiększając wartość napięcia wejściowego obserwowaliśmy zmiany napięcia wyjściowego. Napięcie wejściowe zwiększaliśmy od 0 do ok. 5V.

W drugiej części ćwiczenia przebieg charakterystyki wejściowej otrzymanej z pomiarów ma charakter malejący. Napięcie wejściowe zwiększaliśmy od -1 do ok 5V. Krzywa najpierw powoli maleje do wartości napięcia ok. 1 [V] aby następnie spadek przebiegał gwałtowniej do osiągnięcia wartości napięcia ok. 2,3 [V] i później znów łagodnie maleć. Różnica prądu między skrajnymi punktami napięcia wynosi 0,00498 [Aj.

W trzeciej części dokonywaliśmy pomiarów charakterystyki bramki NAND TTL w stanie wysokim przebieg charakterystyki napięcia wyjściowego ma charakter malejący co przedstawione zostało na wykresie.

W czwartej części dokonywaliśmy pomiarów charakterystyki bramki NAND TTL w stanie niskim przebieg charakterystyki napięcia wyjściowego jak w stanie wysokim ma charakter rosnący co również można zaobserwować na załączonych wykresach.

Wykonanie dobrze znanych przebiegów potwierdza zalety stosowania symulacji komputerowych w budowie układów elektronicznych. Jednocześnie zwraca to uwagę na różnice w działaniu modelu komputerowego i układu rzeczywistego.