112 113

112 113



112

Rys. 4.7. Charakterystyka wejściowa / bramki NAnD - TTL

kierunek prądu wejściowego ma sposób inwersyjny). Przy uziemionym emlterz wy można obliczyć z zależności poziomy leżąoe po obu stronaoh ob-3żaru przełączania. Jeden z tych poziomów (L) przyporządkowany Jest logicznemu 0, drugi zaś (H) logicznej 1.

Zależności prądowo-naplęclowe na wejściu układu Ilustruje się za pomocą charakterystyki wejśclowoj.Typową charakterystykę wejściową bramki NASD przedstawia rys. 4.7.

Zasadniczy wpływ na wielkość 1 pracy tranzystora T1 (normalny lub i T1 wypływający z niego prąd wejśclo-

ir = -    = - 5=0,6 , .1#1

Przy wzroście Uj prąd wejściowy maleje co do wartości bezwzględnej tak długo, aż Uj osiągnie wartość około 1,4 V. W tym momencie T1 zaczyna pracować inwersyjnie, a prąd wejściowy zmienia kierunek 1 z dalszym wzrostem napięcia wejściowego nieznacznie rośnie, osiągając dla Uj- = 5 V wartość kilkunastu mikroamperów.

V celu zobrazowania możliwości obciążenia bramki podaje się dwie charakterystyki wyjściowe, osobno dla stanu 1 1 O na wyjściu, jak to pokazano na rys. 4.8a,b.


Rys. 4.8. Typowe charakterystyki wyjściowe bramki HAND - TTL: a) dla stanu 1 na wyjściu, b) dla stanu O na wyjściu

Oporność wyjściowa bramki w stanie 1, przy małym obciążeniu (nie powo-dującym nasycenia tranzystora T3), wynosi około 100Q . W stanie O wyjście zachowuje się Jak kolektor nasyconego tranzystora z emiterem na masie. Oporność wyjściowa wynosi około 10fi .

4.1.1. Seria 74


V połowie lat sześćdziesiątych amerykańska firma Teras lastrumeatsoprą cowała cały zestaw mogących współpracować ze sobą układów logicznych TTL małej i średniej Integracji, począwszy od bramek, a skończywszy na złożonych licznikach i układach arytmetycznych. Zestaw ten, ciągle uzupełniany otrzymał nazwę serii 74 i stopniowo zyskał rang'$ standardu światowego wypierając zarówno wcześniej stosowane układy RTL i DTL, jak i inne produkty TTL. Układy serii 74 zaczęły produkować, poprzez zakupy licencyjne^inne firmy, w tym również (od 1973 roku) UNITRi-CEMI.

Układy scalone■serii 74 otrzymały standardowe oznaczenia. Np. UC? 74L30 oznacza:

UCY - symbol producenta; w tym przypadku UNITRA-CEMI. Inne firmy stosują oznaczenia: Tezas Instruments - SN, National Semiconductor - DU, Tesla - Iffi itd.

74 - symbol serii; alternatywna Jest liczba 54 lub 84 oznaczająca układ o zwiększonej odporności na warunki.otoczenia.

L - wersja układu; istnieje pięć wersji: H, L, S, LS i standardowa (nie oznaczana żadną literą}.

30 - dwu- lub trzycyfrowa liczba oznaczająca typ układu, w tym przypadku pojedynczy NAND 8-wejściowy.

Układy TTŁ74 zasilanie są napięciem +5 V - 0,25 V. Produkowane są w pięciu wersjach różniących się czasem propagacji 1 mocą strat. Każdy    z

układów scalonych serii 74 może więc występować jako:

1} układ standardowy,

układ o małej mocy strat (L),


2)


m


3)


lecz większym czasie propagacji, uzyskiwany przez zwiększenie oporności rezystorów występujących w układzie, układ szybki (H), lecz o zwiększonej mocy strat, uzyskiwany przez zmniejszenie oporności 1 zastosowanie ukła-


ni

AU

n

TVi

10

IN


«»V]


1    ł

du Darlingtona w    stopniu    wyj- Rys.    Czagy    propagaodl

1 moce strat

śclowym,    różnych    wersji    bramki NAND

4)    układ superszybki    (S) o    zmiej-    l'

szonym czasie propagacji bez zwiększania mocy strat, uzyskiwany przez . włączenie diod Schottky'ego pomiędzy, kolektory i bazy tranzystorów {dioda taka ogranicza głębokie nasycenie tranzystorów będące główną przyczyną wydłużania się czasów propagacji,

5)    układ szybki o zmniejszonej mocy strat (LS), uzyskiwany przez zwiększenie oporności w układzie typu S.

Czasy propagacji 1 moce strat różnych wersji bramki NAND przedstawione są na rys. 4.9«



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
112 113 112 Rys. 4.7. Charakterystyka wejściowa bramki NATO - TTL kierunek prądu wejściowego ma spos
http://layer.uci.agh.edu.pl/maglay/wrona Rys. 4.2 Schemat ideowy bramki NAND z serii standardowej TT
l.Charakterystyka przejściowa bramki NAND W celu uzyskania charakterystyki przejściowe] branki NAND
4 Charakterystyka wyjściowa bramki NAND w stanie niskim L.p Iwy [mA] Uwy
strona (5) 7 Otrzymana charakterystyka została przedstawiona na rysunku 3. Rys. 3 Charakterystyka w
http://layer.uci.agh.edu.pl/maglay/wrona Rys. 4.7. Charakterystyki wyjściowe podstawowej ramki TTL w
Obciążalność bramki NAND TTL to z definicji maksymalna ilość innych bramek, jaką można podłączyć na
Charakterystyki wejściowej bramki NAND Druga część ćwiczenia miała na celu uzyskanie charakterystyki
strona7 (6) Zadanie 24. Którą charakterystykę bramki NAND przedstawia rysunek? A.
Laboratorium Elektroniki cz I 9 542.2.2. Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie OB Chara
Obraz2 (112) Rys. 2.2. Elektroniczna waga analityczna Połączenie wagi analitycznej z urządzeniem, w
112 - Rys. i*. Reakcja systemu na błąd
66 (112) Rys. 5-7. Przykład zbrojenia słupa M Pręf zbrojeniowe innego elementu Pręty zbrojeniowe inn
7. ROZDZIELNICE WYSOKICH NAPIĘĆ 112 A-A Rys. 7*9, Rozdzielnia napowietrzna 110 kV typu

więcej podobnych podstron