2100419992
MOSFET - zasada działania
dielektryk bramka (G) bramkowy
źródło (S)
|
*— obszar z |
ubożony |
dren (D)
podłoże p-Si
podłoże (B)
S = source G = gate D = drain B = bulk
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
MOSFET - zasada działania Vs = VB = 0 UGS < UT Unq małe Jiw obszar zubożony L ‘
scan0003 (88) Rys. 8-4. Zasada działania refraktometru Abbego [10] I — źródło świa
MOSFET - zasada działania
MOSFET- - zasada działania
MOSFET - zasada działania warstwa inwersyjna (kanał tranzystora) G Vs = VB = 0 UGS>UT Un, ma
MOSFET - zasada działania Spadek napięcia na odcinku kanału o długości dy: t / , . In dy uu y)
1.1. Budowa i zasada działania tranzystora polowego złączowego G (Gate) Bramka S (Source) Źródło D
SAM?54 (Kopiowanie) Zasada działania tranzystora MOSFET z indukowanym kanałemKanał przewodzący prąd
SAM?59 (Kopiowanie) Zasada działania tranzystora MOSFET ze zubażanym kanałem■g. Ua-0lG Kanał typu n
Agregaty wody ziębniczej jako pośrednie źródło chłodu w systemie klimatyzacyjnym1. Zasada działania
DSC01203 Zasada działania • Egzogenne źrodlo progesteronu działa jak „sztuczne cia
DSC01203 Zasada działania • Egzogenne Zrodlo progesteronu działa lak .sz
G2D Zasada działania zaworu płytkowego Elementy zaworu płytkowego (płytki umieszczono na powierzchn
więcej podobnych podstron