3530765201

Rys. 4.2.2. Sieć kry staliczna a) półprzewodnik typu n b) półprzewodnik typu p [8]

Półprzewodnik, w którego węzłach sieci krystalicznej znajdują się atomy V grupy układu okresowego (fosfor, arsen, antymon, bizmut) nazywa się półprzewodnikami typu n. Półprzewodnik, w którego węzłach sieci krystalicznej znajdują się atomy III grupy układu okresowego (bor, aluminium, gal, ind) nazywa się półprzewodnikami typu p.

Wolne elektrony w półprzewodniku typu n mogą być łatwo oderwane od atomu domieszki i przejść do pasma przewodnictwa (powodując przewodzenie półprzewodnika) podobnie dzieje się z dziurami w półprzewodniku typu p.

Złącze p-n

Podłączenie dwóch monokryształów ciała stałego (półprzewodnik, metal) w ten sposób, że tworzą ścisły kontakt nazywamy złączem. Złącza mogą być: metal-półprzewodnik i półprzewodnik-półprzewodnik, które są wykorzystane w elektronice.

półprzewodniku P    ^półprzewodnik typu N

N

\

warstwa zaporowa

Rys. 4.2.3. Złącze p-n [8]

W momencie zetknięcia się półprzewodnika p z półprzewodnikiem typu n następuje proces dyfuzji. Elektrony (nośniki z półprzewodnika typu n) będą przechodziły na stronę półprzewodnika typu p, natomiast dziury (nośniki w półprzewodniku typu p) będą przechodziły na stronę półprzewodnika typu n. W okolicach złącza powstaje bariera potencjałów, która uniemożliwi dalszy przepływ nośników. Powstała w ten sposób warstwa nazywa się warstwą zaporową. Aby złącze mogło przewodzić należy dołączyć do niego z zewnątrz napięcie polaryzujące. Różnica potencjałów dla złącza wykonywanego z krzemu wynosi 0,6-0,7V, natomiast z germanu wynosi 0,2-0,3V.

„Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego”

16