76883 P1030328

76883 P1030328



238 M.Polowczyk. E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Rys. 6.23. Ładunkowy schemat zastępczy typu hybryd-ji tranzystora bipolarnego

Qi

(6.63)

Qn Qi

*iN *11

(6.64)

On

Pn * *tN

(6.65)

Ol

r‘Pr>n

(6.66)

natomiast składowe dynamiczne przedstawia się jako pochodne ładunków względem czasu:

•    prąd związany z pojemnością dyfuzyjną CdE

£Qn

'CdE | dt    (6.67)

•    prąd związany z pojemnością dyfuzyjną Cdc

dO,

‘cdC " dt    (6.68)

prąd związany z pojemnością barierową Cm

(6U Tranzystory bipolarne


(6.69)


\


dOjE c dUBE iQE* dt ” jE dt


.prąd związany z pojemnością barierową Cjg

dQjc    duBC

«eje“ dt " p dt


gdzie:


O . ładunek warstwy dipolowej złącza ^ emiterowego.

q . ładunek warsiwy dipolowej złącza kofektorowego.


Przykładowo, na rys.6.23 został przedstawiony ładunkowy schemat zastępczy typu hybryd*ji tranzystora bipolarnego.

Modele dynamiczne wielkosygnałowe są szczególnie przydatne do analizy pracy impulsowej tranzystora. Analiza taka jest zwykle pracochłonna, wymaga bowiem rozwiązania układu równań różniczkowych drugiego rzędu. Dlatego tranzystory bipolarne charakteryzuje się zbiorem parametrów wywodzących się z charakterystyki przełączania tranzystora, które pozwalają na jakościową ocenę szybkości przełączania tranzystora od stanu odcięcia do stanu nasycenia i przełączania przeciwnego. Charakterystykę przełączania zdejmuje się w układzie prostego klucza tranzystorowego, którego schemat przedstawia rys.6.24.

Rys.6.25 przedstawia przebiegi prądu bazy i kolektora tranzystora oraz napięcia baza-emiter w układzie klucza na tle napięcia źródła sterującego e(t).

Gdy e(t)= -ER , tranzystor pracuje w zakresie odcięcia. Jego prądy są pomijalnie małe, a napięcie baza-emiter równa się napięciu źródła sterującego. Przełączenie źródła ste-rajvego do stanu e(t)=Ep powoduje:

0 w czasie opóźnienia td:


(6.70)


)

b)

Mft



O


10%


Rys. 635 Przebiegi niptf i Rdfiw w układzie* •y*-6-24


pojawienie się prądu kolektora ię(t),

ustalenie się prądu i napięcia bazy o wartościach IBF i UBEF, które można



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
P1030332 246 M.Polowczyk, E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 6.28. Malosygnalowc schematy
P1030317 216 M.Polowczylc, E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 62. Symbole tranzystorów n-p
P1030341 264 M.Polowczyk, E.Klugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Właściwości dynamiczne tranzystora
P1030352 284 M.Polowczyk. E.KJugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE a) b) Rys.658. Typowa zależność
20022 P1030336 254 M.Polowczyk. EKIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 633. Przykłady struktur
P1030352 284 M.Polowczyk. E.KJugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE a) b) Rys.658. Typowa zależność
15914 P1030342 266 M.Polowczyk, E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Rys. 6.40. Zależność pojemno

więcej podobnych podstron