5755073568

1 ZESTAW 1 - UKŁADY WE

5

Vi_n odkłada się w całości na rezystorze rj_e, zatem

Vin = Vbe

(1-5)

Wstawiając wzory (1-4) i (1-5) do (1-3), otrzymujemy

_{Kv = =}w*Rc₌__gmRc

(1-6)

Wyznaczamy transkonduktancję g_m

In ImA _ A    A

= TT =    —77 « 0.038 - = 38 m—

Vt    26 mV    V    V

Ostatecznie wzmocnienie wynosi

Rezystancja wejściowa

Z rysunku [ 1.1.2 ] od razu widać, że rezystancję wejściową tego układu stanowi równoległe połączenie rezystorów Rb oraz r^.

^Tbe = — = jjr— = 5.2 kęi g_m    38 m

Zatem r_in wynosi

„ _ n, ■ Rb    5.2k ■ 1.86M    9.672 -10“    . .. , „

^r‘” “ ^r“ ¹¹ Rb = 1C_B = 5.2k + 1.86M = 1865.2 ■ lff> = ⁵¹⁸ “

(1-7)

i)

Z punku widzenia liniowości układu, najlepiej aby u^t = Vqe znalazło się w połowie dostępnego zakresu napięcia. Górnym ograniczeniem jest napięcie zasilania Vć?c, natomiast dolnym napięcie nasycenia VcEsat-

Vcc

Vout =7V

Vcc

Vout =5. IV \fcEsat

t

Rysunek 1.1.3 : Liniowość układu