r r
Fotorezystor
Fotorezystor, zwany również LDR (Light Dependent Resistor), jak nazwa wskazuje, ma
oporność zmieniającą się w zależności od ilości padającego nań światła. Silniejsze światło
wywołuje spadek rezystancji.
Fotorezystor produkowany jest przeważnie z dwóch rożnych materiałów. Siarczek kadmu
(CdS) jest wrażliwy w przybliżeniu na to samo widmo światła co ludzkie oko. Czułość
selenku kadmu (CdSe) jest przesunięta w stronę podczerwieni. CdS posiada maksymalną
czułość przy 515 nm, a CdSe przy 730 nm, ale poprzez zmieszanie tych dwóch materiałów,
można otrzymać różne charakterystyki - z maksymalną czułością pomiędzy 515 a 730 nm.
Siarczek kadmu i selenek kadmu w ciemności nie posiadają w ogóle (albo niewiele) wolnych
elektronów, przez co wartość rezystancji jest bardzo wysoka. Energia, napływająca w postaci
światła, powoduje wyzwolenie elektronów walencyjnych i ich przeniesienie do pasma
przewodzenia. Wartość rezystancji będzie wówczas niska.
Wielkość zmian rezystancji zależy, oprócz składu materiałowego, od typu procesu
produkcyjnego, powierzchni i odległości miedzy elektrodami, jak również od powierzchni,
która jest oświetlana. Fotorezystor ma względnie dużą zależność temperaturową: 0,1 do
2%/K.
Czas odpowiedzi zmienia się od 1 ms do wielu sekund, w zależności od natężenia światła, jak
również czasu oświetlenia i czasu pozostawania bez oświetlenia. Typ CdSe jest szybszy niż
typ CdS. Oba posiadają pewien "efekt pamięciowy" - po długotrwałym, statycznym
a
a
T
T
n
n
s
s
F
F
f
f
o
o
D
D
r
r
P
P
m
m
Y
Y
e
e
Y
Y
r
r
B
B
2
2
.
.
B
B
0
0
A
A
Click here to buy
Click here to buy
w
w
m
m
w
w
o
o
w
w
c
c
.
.
.
.
A
A
Y
Y
B
B
Y
Y
B
B
r r
oświetleniu wartość rezystancji zostaje przesunięta na pewien czas. Typ CdSe ma silniejszy
efekt pamięciowy niż typ CdS.
a
a
T
T
n
n
s
s
F
F
f
f
o
o
D
D
r
r
P
P
m
m
Y
Y
e
e
Y
Y
r
r
B
B
2
2
.
.
B
B
0
0
A
A
Click here to buy
Click here to buy
w
w
m
m
w
w
o
o
w
w
c
c
.
.
.
.
A
A
Y
Y
B
B
Y
Y
B
B