plik


ÿþWzrost Pb na powierzchni Si(111) zrekonstruowanej przez In Sylwia BiliDska Plan prezentacji 1. Cel badaD 2. Charakterystyka powierzchni Si(111)-(7×7) 3. Charakterystyka adsorbatów: In i Pb 4. Przegld literatury 5. & .. Cel badaD 1. Poszukiwanie nowych materiaBów 2. Charakter wzrostu adsorbatu na powierzchni Si(111)-M 3. Czy mog powsta sztuczne struktury o nowych wBa[ciwo[ciach fizykochemicznych i elektronicznych? Charakterystyka powierzchni Si(111)-(7×7) Obraz dyfrakcyjny powierzchni Si(111)-(7x7) w RT (53 eV) C B A A a a DAS model  model zawierajcy dimery (DIMERS), adatomy (ADATOMS) i bBdy uporzdkowania (STACKING FAULT); opracowany przez Takayanagi, Tanishiro, Takahashi i Takahashi w 1985 r. Charakterystyka adsorbatów: In i Pb Elektro- powino- Tempera- masa promieD Gsto[ praca ujemno[ liczba rok konfiguracja charakter tura wactwo atomowa atomowy wyj[cia chemiczny elektronowa wg topnienia atomowa odkrycia elektro- [pm] [g/cm3] [ev] [K] Paulinga nowe [Kr] In 49 1863 114.9 metal 1.78 167 429.75 7.29 29 4.08 4d105s25p1 [Xe] Pb 82 staro|. 207.2 14 10 2 metal 1.80 175 600.61 11.34 35 4.18 4f 5d 6s 6 2 p Yakes M et al. 2007 Appl. Phys. Lett. 90 163117 E=159 eV ˜In =0.5-1.0 ML, T~350 Co In-Si (111) 4x1 reconstruction which was formed by two zigzag In chains ( http://nanology.ustc.edu.cn/fangx/semi.htm) Vlachos et al. J. Phys. Condens. Matter 24 (2012) 095006 Adsorpcja Pb w RT na powierzchniach : a) Si(111)-(7 × 7), E=167 eV , ˜In=0 ML Vlachos et al. J. Phys. Condens. Matter 24 (2012) 095006 Adsorpcja Pb w RT na powierzchniach : a) Si(111)-(7 × 7), b) Si(111)-("3 × "3) In c) Si(111)-(4 × 1) In E=159 eV E=206 eV ˜In =0.5-1.0 ML, ˜In =0.3 ML, E=167 eV , T~350 Co T~440 Co ˜In=0 ML Wyniki. Pomiar AES Badania wBasne (S.B.) Pomiar AES Widmo AES dla czystego krzemu Badania wBasne (S.B.) Widmo AES dla krzemu i oBowiu w RT Vlachos et al. J. Phys. Condens. Matter 24 (2012) 095006 Vlachos et al. J. Phys. Condens. Matter 24 (2012) 095006 Pb na podBo|u Si(111)-("3 × "3) In po wygrzaniu ukBadu Vlachos et al. J. Phys. Condens. Matter 24 (2012) 095006 Pb na podBo|u Si(111)-(4 x 1)-In po wygrzaniu ukBadu Wnioski wynikajce z badaD Vlachos a " Faz znacznie zale|y od temperatury podBo|a wy|arzania i wzgldne st|enie pomidzy dwoma zaadsorbowanymi metalami; " Pb jest sBabiej zwizany na powierzchni krzemu, poniewa| desorbuje w pierwszym zakresie temperatur okoBo 750-850 K. " Temperatura desorpcji Pb jest ni|sza, gdy powierzchnia Si bdzie pokryta wiksz ilo[ci In. Na Si(1110-7x7 Pb caBkowicie desorbuje w temp. 900 K, dla " 3x " 3-In przy 850 K a dla 4x1-In przy 800 K. Wskazuje to na sBabe wizanie Pb- Si w obecno[ci In. Dzikuje za uwag

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
cwiczeni na bazie SI
Wykonywanie prac na powierzchni kopalni
Upadki na powierzchni jak ich unikac
45Załamania światła na powierzchni sferycznej
Jak długo patogeny szpitalne mogą przetrwać na powierzchniach nieożywionych
rozdział 31 Szósty i ostatni pobyt Belzebuba na powierzchni naszej Ziemi
Jak umówić się na pierwszą randkę
RADUJĘ SI EGDY PATRZĘ NA CIEBIE
Jak Przygotowa Si na Koniec Wszystkiego
Ćwiczenie 5 Pożywki bakteriologiczne Ocena wzrostu na poszczególnych podłożach 2012
Obcy na poddaszu Aliens In The Attic 2009 R5 Xvid {1337x} Noir

więcej podobnych podstron