6518465808

Politechnika Wrodawska

•    Parametr n określa rodzaj punktu krytycznego:

-    w układzie 3D (np. prosta przerwa energetyczna GaAs): n = 2.5

-    dla dwuwymiarowego punktu krytycznego: n = 3

•    Dla stanów związanych (np. w studni kwantowej) pole elektryczne nie powoduje przyspieszenia nośników i kształt linii ma charakter pierwszej pochodnej.

•    Wówczas zmiany przenikalności elektrycznej opisane są za pomocą:

r de dE₀ de dT de dl

laĘdF^⁺afaF^⁺'dIdF^,

AC

gdzie E₀ jest energią przejścia optycznego, I jego intensywnością, a F_ac jest zmianą wewnętrznego pola elektrycznego.

Dla przypadku pierwszej pochodnej, względne zmiany współczynnika odbicia mogą być w przybliżeniu opisane z parametrem n = 2.